Активная область
Cтраница 2
Активная область канала данных приборов формируется аналогично базе биполярного транзистора. [16]
Активная область анодных кривых исследованных сталей в 15 % - ном растворе уксусной кислоты построена по результатам весовых определений скорости анодного растворения при потенциалах, отрицательнее стационарного. [17]
Эти активные области быстро перемещаются друг относительно друга, попеременно распадаясь и образуясь вновь посредством деления. В то же время в присутствии стороннего магнитного поля они совершают совместное поступательное движение, причем их центр тяжести описывает более или менее правильную траекторию. Для определения последней не требуется входить в детали структуры пятна. [18]
 |
Дрейфовая намера. [19] |
Собственно активная область элемента обычно составляет лишь его малую часть, и ее объем, напр. [20]
В активной области и области перепассивации скорость коррозии нержавеющих сталей возрастает с увеличением потенциала в соответствии с законом электрохимич. В неустойчивой области, наоборот, скорость коррозии нержавеющих сталей уменьшается с увеличением потенциала, что связано с постепенной пассивацией поверхности нержавеющих сталей. При достижении полной пассивации скорость коррозии нержавеющих сталей практически не зависит от потенциала. [22]
 |
Физические характеристики слоев Солнца. р - плотность, Т - температура, f - давление, п - число частиц в 1 см. Толщина фотосоеры и хромосферы на рисунке несколько преувеличена. [23] |
Число активных областей, их положение на диске и полярности пятен в группах меняются с периодом 11 2 года. В период необычайно высокого максимума ( 1957 - 58 активность затрагивала практически весь солнечный диск. [24]
В активной области работают все линейные усилительные схемы, поскольку между входными и выходными сигналами существует почти пропорциональная зависимость. [25]
 |
Схема струйного диспергатора.| Кожухотрубный аппарат со стекающей пленкой. [26] |
Из активной области газожидкостная смесь перетекает в барботажную область Б, в которой происходит всплывание газовых пузырей. В этой зоне основную роль играют гравитационные силы, диссипация энергии значительно, ниже. [27]
В активной области и при потенциале коррозии сразу после погружения образуется смешанный оксид, но он не является защитным. [28]
В активной области / эмиттерный переход открыт и инжектирует неосновные носители заряда в базу, которые, двигаясь к коллектору, образуют коллекторный ток. В области отсечки / / эмиттер не инжектирует носители в базу, поэтому ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода. В области насыщения / / / коллекторный переход смещается в прямом направлении, увеличивая инжекцию неосновных носителей из коллектора в базу, и вследствие этого усилительные свойства транзистора сильно ухудшаются. Область пробоя на выходных характеристиках IV реализуется при высоком напряжении на коллекторе: в этой области коллекторный ток быстро растет с йовышением напряжения, что в конечном счете приводит к пробою и выходу прибора из строя. [29]
В активной области для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, в 6В; для режима насыщения, когда в прямом направлении смещены оба перехода, 0 Он, где вн5 вв. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5