Активная область

Cтраница 3

Ключ с общей базой ( а и графики, поясняющие условия насыщения транзистора с общим эмиттером ( б. [31]

В активной области транзистор оказывается только в переходном процессе, и чем короче этот процесс, тем лучше. [32]

В активной области, где / э 0, эмиттерлый диод проводит в прямом направлении, в то время как на коллекторный диод подается смещение в обратном направлении. Генератор тока теперь действует, и кристаллический триод представляет собой активный элемент с усилением по мощности. При дальнейшем увеличении / э ток генератора а / э вскоре становится больше коллекторного тока / к и коллекторный диод начинает проводить в прямом направлении; кристаллический триод входит в область насыщения. В этой области как эмиттер-ное, так и коллекторное сопротивления малы. Генератор тока теперь шунтирован низкоомным коллекторным сопротивлением. Когда имеется большое сопротивление нагрузки в коллекторной цепи ( что характерно для многих практических схем) кристаллический триод представляет собой пассивный элемент с низким внутренним сопротивлением. [33]

В активной области, где гк; гб, а примерно равен а. В области насыщения, где величины гк и гб могут быть одного порядка, соотношения а. Необходимо отметить, что а и а есть параметры при малом сигнале и их величина различна в различных областях работы. Тем не менее и при большом сигнале коэффициент усиления по току схемы может быть легко получен обычным способом с помощью коллекторных и нагрузочной характеристик. [34]

Динамические харак - сником, характеризуемым вы-теристики. соким обратным эмиттерным. [35]

В активной области эквивалентная цепь ( рис. 12.11 6) становится активным четырехполюсником, характеризуемым источником тока лЧэ, нагруженным на коллекторное сопротивление гк. [36]

Зависимость коэффициента усиления Р от тока / э германиевого сплавного транзистора средней мощности. [37]

В активной области необходимо учитывать ограничение тока коллектора транзистора по минимуму. [38]

В активной области мощностью, выделяющейся на эмиттерном переходе, можно пренебречь; при работе в области насыщения эта мощность делается сравнимой с РЖ и даже может ее превышать. [39]

Принцип действия полупроводникового лазера. [40]

Толщина активной области обычно составляет 1 мкм. [41]

В активной области ( на пологом участке выходной ВАХ) рабочая точка находится при эксплуатации МДП-транзистора в усилительном режиме, когда между входным и выходным сигналами сохраняется линейная зависимость. [42]

В активной области ( участок АБ) транзистор работает как усилительный элемент. Эта область является переходной при работе транзистора в ключевом режиме. [43]

Кожухотрубный аппарат со стекающей пленкой. [44]

Из активной области газожидкостная смесь перетекает в барботажную область Б, в которой происходит всплывание газовых пузырей. В этой зоне основную роль играют гравитационные силы, диссипация энергии значительно, ниже. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5