Cтраница 4
Германиевые точечные диоды обычно изготавливаются из германия п-типа со сравнительно большим удельным сопротивлением. К германию приваривают проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученная область германия р-типа работает в качестве эмиттера. Для изготовления кремниевых точечных диодов используются кремний п-типа и игла, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния. [46]
Вследствие того что параметры элементов имеют определенный разброс относительно номинального значения, конструктор никогда не может выбрать идеальные элементы. Необходимость учета изменений величин параметров ( а это не всегда простая процедура) приводит к тому, что многие схемы, рассчитанные с номинальными значениями элементов, должны быть проверены экспериментально для определения их рабочих пределов. Экспериментально полученные области приемлемых значений параметров, определяющие пределы удовлетворительного функционирования схем как функции изменения номинальных величин элементов, обычно используются для установления допусков на изменения параметров элементов схемы и напряжения питания. [47]
Область - абсолютной устойчивости можно выделить также в пространстве любого другого параметра цепи q - Если этот параметр считать комплексным, то на плоскости q можно выделить область значений, при которых цепь обладает абсолютной устойчивостью. Граница этой области определяется уравнением F ( ( q; / и) 0 или T ( q; / ori) 1 при изменении со от 0 до оо. Такая граница разбивает плоскость q на разные области, одна из которых является областью абсолютной устойчивости. Чтобы определить, какая из полученных областей является областью абсолютной устойчивости, достаточно проверить выполнение условия абсолютной устойчивости для одной точки каждой области. [48]
Это указывает на большую универсальность полученных теоретических соотношений. Надо сказать, что это подтверждается также многими другими опытами, например уже упоминавшимися экспериментальными исследованиями Путнэма и Денниса1) и других авторов. Вернемся к диаграмме на рис. 51 и рассмотрим ее с несколько иной точки зрения. Наряду с хорошим, для такого сложного явления, совпадением теоретических и экспериментально полученных областей неустойчивости, нетрудно заметить некоторое систематическое смещение их друг относительно друга. Это говорит о том, что свойства зоны теплоподвода не вполне совпадают с теми, которые были постулированы в начале предыдущего параграфа. По-видимому, в рассматриваемом случае свойства зоны S в некоторой степени зависят от частоты колебаний, поскольку расхождение между теоретическими областями неустойчивости и экспериментальными точками систематически связано с изменением частоты колебаний. [49]
Описанные выше способы расчленения неуниверсальны в смысле их приложения к любому из видов каротажа и в недостаточной степени учитывают априорные сведения о строении геологического разреза. Более общий и все шире используемый подход заключается в анализе распределения амплитуд расчленяемой кривой и их мощностей в увязке с той или иной принятой моделью разреза. Алгоритм в первую очередь отделяет на расчленяемой кривой интервалы с повышенными и пониженными значениями амплитуд. Для этого отыскивается такая уровенная линия, число пересечений которой с исходной кривой было бы минимальным. Далее каждая из полученных областей может быть, в свою очередь, разделена на две по тому же алгоритму. Глубина такого деления в принципе не ограничена. Фактически увеличение детальности теряет смысл, когда амплитуда шума становится соизмеримой с амплитудой основного сигнала. Последним этапом является проведение такой уровенной линии, которая дает максимальное число пересечений с исследуемой кривой. Эта детальность расчленения окажется заведомо излишней. Укрупнение расчленения достигается путем исключения ( присоединения к соседним) прослоев, мощностью меньшей заданного критического значения. [50]
Наиболее прогрессивным методом изготовления Ge и Si дрейфовых транзисторов является метод двойной диффузии. Планарная технология включает в себя механическую обработку кремниевой пластинки п-типа с тщательной полировкой и последующим травлением. Затем проводится термическое окисление пластинки кремния в атмосфере влажного кислорода при температуре 1000 С. На пластинке создается защитный слой двуокиси кремния Si02 толщиной 1 - 1 5 мкм. Методом фотолитографии в сочетании с травлением с нужных участков поверхности кремниевой пластинки удаляется оксидный слой. В атмосфере кислорода проводится локальная диффузия бора и получаются слой бора и коллекторный переход под отверстием в защитном слое. В защитной пленке над полученной областью базы методом фотолитографии и травления создается отверстие для эмиттерной области. Эмиттерную область и эмиттер-ный переход получают методом локальной диффузии фосфора сквозь отверстие в оксидной пленке. В процессе диффузии площадь эмиттерной области полностью покрывается новой оксидной пленкой. В полученной структуре фотолитографическим способом и травлением оголяют контакты эмиттерной и базовой областей. Над базовой областью оксидный слой обычно стравливается в виде кольца, а над эмиттерной - в форме круга. На эти участки напыляются металлические контакты ( алюминий) и сплавляются с кремнием. [51]
По уравнению (4.32) сначала строят кривую при изменении со от 0 до оо. Затем эта кривая дополняется зеркальным отображением относительно вещественной оси. Полученную границу штрихуют слева при движении вдоль нее от значений со, равных - оо, до с. Если пересечение границы происходит в направлении с незаштрихованной стороны границы на заштрихованную, то изменение коэффициента / С приводит к перемещению корня характеристического уравнения из правой полуплоскости в левую. Если пересечение границы происходит в направлении с заштрихованной стороны на незаштрихованную, то корень перемещается из левой полуплоскости в правую. Для определения значений параметра К, обеспечивающих устойчивость системы, необходимо среди областей, выделенных границей Л - разбиения в плоскости этого параметра, отыскать такую, которой отвечает наибольшее число расположенных слева от мнимой оси корней характеристического уравнения. Если это число равно степени характеристического уравнения, то полученная область значений параметра К. [52]
В этом легко убедиться, если принять во внимание наше предположение о том, что ( С) не сохраняет ориентацию TI, и рассмотреть стрелки, указывающие положительное направление обхода в Г; и Тп. Рассуждения, относящиеся к А, применимы и к А и показывают, таким образом, что кривая К не разбивает никакую из своих окрестностей. Обратно: если все циклы сохраняют ориентацию, то S ориентируема. Тогда все треугольники, имеющие на / С хотя бы одну точку, образуют область, не разбиваемую кривой К, так как эта кривая является однобережной. Полученная область содержит такой цикл ( С), в котором общая сторона треугольников Т и Тп лежит на К. При каждом из этих обходов область, примыкающая к К, будет обходиться в том же направлении, что и / С То же самое, в частности, будет иметь место и для TI и Тп, откуда следует, что ( С) не сохраняет ориентацию треугольника Т, вопреки предположению. [53]