Облучение - поверхность
Cтраница 1
Облучение поверхности электронами вызывает эмиссию всех четырех видов частиц, однако наиболее часто анализируются электроны, что обусловлено сравнительной простотой их регистрации. Для получения информации о поверхности регистрируют энергию и пространственное распределение упруго - и неупругоотраженных первичных электронов зонда или регистрируют вторичные электроны и оже-электроны. [1]
 |
Определение солнечных углов. [2] |
Облучение поверхности солнцем зависит от величины / д ( см. табл. 7 - 4) и косинуса К. [3]
При облучении поверхности k поверхностью i в поглощающей среде часть лучистой энергии, направленной а поверхность k, поглощается средой. [4]
 |
Схема твердотельного лазера. [5] |
При облучении поверхности тела светом энергия квантов ( порций) света поглощается этой поверхностью. Образуется теплота, температура поверхности повышается. [6]
При облучении поверхности пищевых продуктов или жидких продуктов в топком слое на эффективность процесса оказывает влияние степень их зараженности: чем выше степень обсеменения микроорганизмами, тем большая нужна доза облучения. [7]
 |
Зависимость поглощательной способности поверхности нержавеющей стали с покрытием Fe2S3 от времени облучения. [8] |
В процессе облучения поверхности с покрытием излучением СО2 - лазера мощностью 150 Вт наблюдается постепенное снижение поглощательной способности. [9]
Во время облучения поверхности ультрафиолетовыми лучами вблизи не должно быть белого света, так как при этом эффект свечения флуоресцеина резко снижается. Качество контроля плотности повышается при увеличении давления воды в испытываемом объеме до 1 - 2 ати. [10]
Метод основан на облучении поверхности пробы рентгеновским излучением радиоизотопного источника. [11]
Они формируются при облучении поверхности кристалла двумя интерферирующими оптическими пучками и состоят из чередующихся полос, отличающихся градиентами электрических полей и, вследствие электрооптического эффекта, градиентами показателя преломления. [12]
Имплантер ДИАНа предназначен для частотно-импульсного облучения поверхностей пучком ускоренных ионов. [13]
Димер образуется также при облучении поверхности чистых кристаллов. [14]
 |
Схемы измерения глубины залегания р - п-перехода методом косого шлифа ( а и методом шаровой лунки ( о. [15] |
Страницы: 1 2 3 4