Облучение - поверхность
Cтраница 2
Процесс ионного легирования заключается в облучении поверхности пластины-заготовки монозшергетическим потоком ионов легирующей примеси, которые при внедрении в кристаллическую решетку полупроводника создают избыточную ( по отношению к исходной) концентрацию примеси с образованием р - п-перехода. [16]
Один из них заключается в облучении поверхности монокристалла TV-типа ионами, создающими акцепторные примеси, или быстрыми электронами, также изменяющими знак носителей тока. [17]
 |
Поверхностный потенциальный барьер. [18] |
Эмиссия электронов может происходить также при облучении поверхности некоторых металллов или их соединений световым потоком. В этом случае свободные электроны металла получают дополнительную энергию от фотонов. Такая эмиссия называется фотоэлектронной и применяется в некоторых типах фотоэлементов. [19]
Для выполнения ряда технологических операций важно обеспечить полное облучение поверхности. Это возможно лишь при взаимном перекрытии зон лазерного воздействия. Для повышения эффективности обработки следует стремиться к такому размещению зон лазерного воздействия, чтобы размеры перекрытых участков были минимальными. В этом случае обеспечивается максимальное заполнение профиля ( К3 0 96), однако коэффициент использования импульсов очень мал ( / Си 0 46), что свидетельствует о низкой эффективности процесса контурно-лучевой обработки. [20]
Какую максимальную скорость будут иметь фотоэлектроны при облучении поверхности цинка ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в k - 1 5 раза большей работы выхода. [21]
В энергетическом спектре вторичных электронов, испускаемых вследствие облучения поверхности пучком первичных электронов ( рис. 6.3), условно можно выделить три основные зоны. [22]
Наиболее правильно определять среднее время начала и конца облучения поверхности, если принимать во внимание за это время изменение интенсивности солнечной радиации. [23]
Вообще говоря, любой металл обнаруживает фотоэффект при облучении поверхности лучистым потоком с достаточно малой длиной волны. Точно так же в объеме любого неметаллического вещества достаточно коротковолновое излучение может вызвать появление несвязанных зарядов. [24]
ФОТОЭЛЕМЕНТ - фотоэлектрический прибор, в к-ром при облучении поверхности металлич. ПП материале значит, число подвижных носителей заряда - электронов и дырок, приводящее к резкому увеличению его электрич. [25]
Другим вариантом электронографии является метод, основанный на облучении поверхности кристаллических веществ медленными электронами, выбивающими с поверхности вторичные электроны, которые создают дифракционную картину, характеризующую микроструктурные особенности поверхности твердого тела. [26]
В основе четвертой группы методов получения ударных волн лежит облучение поверхности преграды лазерным светом или потоком электронов. На расстояниях, превышающих толщину слоя, в котор ом поглощается энергия излучения, распространяющиеся волны существенно нестационарны. [27]
Уайт 119 ] изучал свойства полимерных пленок, полученных облучением поверхности подложек ультрафиолетовым светом в присутствии паров бутадиена, стирола, акрилнитрила и изопропенилкетона. Как и при использовании электронной бомбардировки, селективное осаждение может быть осуществлено облучением только той части подложки, где нужно нанести пленку. [28]
На рис. 10.8 показаны некоторые методы, основанные на облучении поверхности фотонами в инфракрасном, видимом, ультрафиолетовом и рентгеновском диапазонах длин волн. [29]
Фотоэлектронная эмиссия обусловлена поглощением электронами квантов лучистой энергии при облучении эмигрирующей поверхности. [30]
Страницы: 1 2 3 4