Cтраница 1
Облучение стекла независимо от его длительности не влияло на фазовый состав образцов. Минералогический состав облученных и необлученных образцов, закристаллизованных при одной и той же температуре, одинаков, лишь иногда наблюдались небольшие различия в дополнительных фазах. [1]
После облучения стекла подвергают воздействию ультрафиолетового света с длиной волны около 3650 А, что вызывает оранжевую флуоресценцию, которая измеряется с помощью фотоумножителя, снабженного оранжевым фильтром. При соответствующих условиях освещения интенсивность люминесценции пропорциональна дозе облучения. Предварительно необходима калибровка по какому-либо стандартному дозиметру. Показания таких дозиметров линейно зависят от дозы, кумулятивны и в широком интервале не зависят от мощности дозы. [2]
Спектры поглощения облученных стекол. [3] |
При облучении стекол происходит образование электронных центров. [4]
При облучении стекла ультрафиолетовыми лучами в течение 600 ч, серебро на органическом стекле СОЛ серийного производства также не образуется. [5]
При облучении стекла, как правило, темнеют, причем степень их потемнения связана с величиной поглощенной дозы. В некоторых стеклах образуются центры флуоресценции, высвечивание которых наблюдается при последующем облучении стекол светом с определенной длиной волны. Оба явления используются для измерения поглощенных доз, первое для больших, второе для малых. [6]
При облучении стекла УФ-лучами в течение 600 ч серебро на органическом стекле СОЛ серийного производства также не образуется. [7]
Как известно, облучение стекла ионизирующей радиацией в конечном счете всегда приводит к отрыву электронов от кислорода. В случае присутствия в стекле трехвалентного церия кислородные ионы восполняют потерю электронов за счет церия, что приводит к возникновению ионизованных центров свечения. [8]
Кривые разрядного тока, возникающего при нагреве с градиентом 31 град / мм у-об-лученных дозой 3 3 - 104р стекол. [9] |
Объемный заряд, возникающий при облучении стекла, обусловлен неравномерным распределением в нем свободных электронов и дырок. [10]
Формы светочувствительного стекла фотоформ. [11] |
А); б-скрытое изображение, полученное облучением стекла через фотографический негатив; в-изображение, проявленное тепловой обработкой. [12]
Они восстанавливаются до металла коллоидной дисперсности только в результате облучения стекла ультрафиолетовыми лучами. Это дает возможность получать на основе фотоснталлов прецизионные изделия сложной конфигурации фотохимическим методом. [13]
Цетлин, Зайцева и Каргин [1551] показали, что при облучении полиметилметакрилатовых стекол быстрыми электронами ( 700 эв) внутри образца появляются древовидные трещины, скорость распространения которых пропорциональна мощности - дозы и тем выше, чем ниже температура облучения. [14]
Полоса 285 ммк, по нашему мнению, характеризует центры, при облучении стекла возникающие из центров Се3 либо в результате их ионизации, либо в результате локализации вблизи них электронов, освобожденных при облучении из структурной сетки стекла. Что касается минимума при 240 ммк, то он возникает, по-видимому, в результате восстановления ионов Се4 до трехвалентного церия. При этом образуются центры, либо сходные с центрами, характеризуемыми полосой 285 ммк, либо центры трехвалентного церия, которые переходят в центры, характеризуемые полосой 285 ммк. При этом образуются также центры видимого изображения, характеризуемые полосой 405 ммк. Опыты с повторным облучением показывают, что интенсивность полосы при 285 ммк в значительно большей мере зависит от уменьшения поглощения при 315 ммк, чем от минимума при 240 ммк. При облучении стекла происходит ионизация иона Се3 и локализация электронов на уровне С. При термообработке стекла электроны освобождаются с уровня С и попадают на уровни А и В, отвечающие возбужденным состояниям атомарных центров Ag и ионов Се3 соответственно, откуда они могут попасть либо в основные состояния этих центров на уровни А и В соответственно, либо снова возвратиться в зону проводимости за счет тепловой энергии. Очевидно, что стекло будет обладать тем большей светочувствительностью, чем больше электронов попадет на уровень А, что в свою очередь, будет существенным образом зависеть от положения уровней А и В относительно зоны проводимости. [15]