Облученность - поверхность
Cтраница 1
Облученность чемной поверхности солнцем, и в частности ультрафиолетовыми лучами, сильно изменяется в зависимости от положения солнца, времени года, географической точки и от состояния атмосферы ( облачности, запыленности и пр. [1]
Nhv - облученность поверхности ( энергия всех фотонов, падающих на единицу поверхностн в единицу времени); р - коэффициент отражения; ш - объемная плотность энергии излучения. [2]
 |
К определению облученности поверхностей методом проекций. [3] |
Для определения облученности поверхностей применяют различные аналитические, графические и экспериментальные методы. [4]
 |
К определению облученности элементарной площадки на плоскости от излучающего шара. [5] |
Для экспериментального определения облученности поверхностей методом проекций были предложены различные приборы. [6]
 |
Облученность плоскости через однорядный пучок труб, при различном расстоянии между осями ( точки отвечают измеренной облученности. кривая - вычисленной облученности. [7] |
В ряде случаев задача об облученности поверхностей осложняется влиянием отражения излучения от других поверхностей. [8]
При правильно поставленных измерениях результаты определения облученности поверхностей методом светового моделирования получаются достаточно точными. На рис. 204 представлена измеренная и вычисленная облученность плоскости через однорядный пучок труб с различным расстоянием между трубами. [9]
Эту величину называют энергетической освещенностью, облученностью поверхности или поверхностной плотностью потока излучения. [10]
Требуется лишь, чтобы S ( Я) отличалось от нуля для всех длин волн Я, представляющих интерес, и чтобы спектральная облученность поверхности объекта была достаточно высокой для обеспечения необходимой точности измерений. Можно поэтому утверждать, что р ( Я) исследуемого нелюминесцирующего объекта не зависит от спектрального распределения энергии S ( Я) источника, облучающего этот объект. [11]
Математическое описание процесса лучистого переноса в системе Солнце-концентратор-приемник методически целесообразно осуществлять в два этапа: вначале проанализировать взаимодействие солнечного излучения с отражающей поверхностью, а затем, определив фотометрические характеристики концентратора как вторичного излучателя, получить соотношения для расчета облученности поверхности приемника. Рассмотрим эти этапы последовательно. [12]
Перенос теплоты за счет лучистого теплообмена между поверхностями частиц материала обычно становится заметным при rj400 C. Обычно геометрическая конфигурация учитывается на основе расчета взаимной облученности поверхностей частиц при той или иной модельной укладке частиц в слое. Для анализа принимаются регулярные модели параллельных или последовательно-параллельных элементов твердой и газовой фаз, допускающие в той или иной степени аналитическое решение задачи. [13]
 |
Механический интегратор со световым зайчиком для определения облученности элементарной площадки от излучающего тепа. [14] |
Метод светового моделирования основывается на полной аналогии лучевого обмена, в любых частях спектра излучения тел. Метод световых моделей с успехом может быть применен для определения облученности поверхностей в самых сложных случаях. [15]
Страницы: 1 2