Условное обозначение - транзистор
Cтраница 2
В соответствии с ГОСТ 5461 - 59 условные обозначения транзисторов буквенно-цифровые и могут содержать два или три элемента. [16]
В соответствии с ГОСТ 5461 - 59 условные обозначения транзисторов могут содержать два или три элемента. [17]
 |
Плоскостной транзистор сплавного типа. [18] |
На рис. 9, б и г даны условные обозначения транзисторов р-п - р и n - p - n - типов соответственно, на рис. 9, д - конструкция плоскостного германиевого транзистора. [19]
 |
Схемы включения транзистора. [20] |
Направление тока, протекающего через транзистор, соответствует стрелке у эмиттерного ввода в условном обозначении транзистора. [21]
Биполярный транзистор, назначением которого является усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующимися слоями полупроводника разного механизма электропроводности. Условные обозначения транзисторов этих типов показаны соответственно на рис. 3.13 6, г. Внутреннюю область монокристалла транзистора, разделяющую р-п-пере-ходы, называют базой. Внешний слой монокристалла, предназначенный для инжектирования ( внедрения) носителей заряда в базу, называют эмиттером, а р-и - перехОД / 7Ь ПрИМЫКЗЮЩИИ к эмиттеру, - эмиттерным. Другой внешний слой, экстрактирую-щий ( вытягивающий) носители заряда из базы, называют коллектором, а p - n - переход П - коллекторным. [22]
Условное обозначение транзисторов с индуцированным / г-каналом показано на рис. 3.46. Обозначения С, И, 3 соответствуют использованным ранее, обозначение П - подложке прибора. В этих транзисторах проводящий канал наводится ( индуцируется) под действием входного управляющего напряжения. Когда напряжение между стоком и затвором равно нулю, проводимость между стоком и истоком практически отсутствует. При увеличении напряжения на входе до значения еъ канал становится проводящим. При дальнейшем увеличении этого напряжения проводимость начинает расти, ток канала увеличивается. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. [23]
 |
Транзисторы с чередованием двух типов проводимостей. а - р-п - р, б - п-р - п. [24] |
Переход эмиттер - база называется эмиттерным, а переход база - коллектор - коллекторным. В условных обозначениях транзисторов стрелкой указывается направление тока эмиттера. [25]
 |
Характеристики полевого транзистора со встроенным ка-налом.| Условные обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором. [26] |
На рис. 5 - 14 приведены характеристики полевого транзистора со встроенным каналом. На рис. о-15 приведены условные обозначения палевых транзисторов с изолированным затвором. [27]
В табл. 4 указаны основные характеристики наиболее распространенных в любительской практике интегральных микросхем, на которых можно собрать ряд конструкций, в том числе описанных в книге. Система условных обозначений советских интегральных микросхем, принятая в 1973 г., во многом подобна системе условных обозначений транзисторов. Первая буква К в обозначении указывает, что эта микросхема широкого применения. Отсутствие в обозначении буквы К говорит о том, что эта микросхема предназначена для научных и промышленных целей. За числом следуют две буквы - условное сокращение основного функционального назначения микросхемы. [28]
 |
Электронный соединитель а четырех-слойных транзисторах. [29] |
Рассмотрим принцип действия электронного соединителя на четырехслойных транзисторах типа р-п-р-п, схема которого приведена на рис. IV. Здесь же даны условные обозначения четырехслой-ного транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3