Cтраница 3
При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на рис. 17.1 транзистор в виде структурной схемы показан на рис. 17.2, а. На рис. 17.2 6 показан транзистор с другим чередованием областей ( п-р - н), на рис. 17.2, в, г - соответствующие структурной схеме условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. [31]
При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на рис. 1.25 транзистор в виде структурной схемы показан на рис. 1.26, а. На рис. 1.26, б показан транзистор с другим чередованием областей ( n - p - п), на рис. 1.26, в, г - соответствующие структурным схемам условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. [32]
Действительно, каждой из этих трех схем соответствует свой способ включения транзистора. В первом случае ( рис. 71 - 73) транзистор изображен в виде прямоугольника, каким мы обозначали его сначала; на таком рисунке лучше виден путь тока между тремя областями транзистора, и иногда я сожалею, что такое обозначение транзистора не было принято повсеместно. Во втором случае ( рис. 74 - 76) эти же схемы нарисованы с обычным условным обозначением транзистора, но здесь в ущерб красоте рисунка я постарался более четко показать цепь тока коллектора. [33]