Cтраница 1
Частично заполненные оболочки имеют атомы всех элементов, кроме благородных газов. Ионы в максимальной степени окисления имеют только заполненные s -, p -, d - оболочки. [1]
Для частично заполненных оболочек р -, d -, f - орбиталей существует несколько способов распределения электронов по орбиталям и приписывания спинов этим электронам, удовлетворяющих принципу Паули. Вследствие отталкивания между электронами не все эти распределения соответствуют одной и той же энергии. [2]
Для частично заполненных оболочек р -, d -, / - орбиталей существует несколько способов распределения электронов по орбиталям и приписывания спинов этим электронам, удовлетворяющих принципу Паули. Вследствие отталкивания между электронами пе все эти распределения соответствуют одной и той же энергии. [3]
Локализованные на ионах электроны частично заполненных оболочек описываются локализованными ( атомными) волновыми ф-циями ( / - подсистема), электроны проводимости описываются блоховскими функциями ( s - подсистема) и наз. [4]
Для л-электронных систем с частично заполненными оболочками выражения получаются несколько более громоздкими, хотя при этом и следует отметить, что сам по себе для таких систем метод Хюккеля мало пригоден и получаемые в его рамках результаты суть свидетельство того, что с такими системами, где метод Хюккеля приводит к открытым оболочкам, нужно разбираться дополнительно. Тем не менее, представление различных примеров начнем именно с такой задачи. [5]
Дополнительный электрон входит в уже частично заполненную оболочку, так что основным результатом является более эффективное приближение электрона к ядру и уменьшение радиуса. [6]
Мы рассмотрели частный случай, соответствующий частично заполненным оболочкам. Такие незаполненные оболочки получаются в том случае, когда в ранее полностью заполненной оболочке один электрон возбуждается и переходит в следующее возможное энергетическое состояние. Стало быть, синглет и триплет в данном случае являются возбужденными электронными состояниями для нашей системы. [7]
Очевидно, что нечетность определяется только частично заполненными оболочками. [8]
Такое различие в изомерных сдвигах высоко - и низкоспиновых комплексов, по-видимому, связано со структурой частично заполненных оболочек переходных ионов. Это предположение можно сделать на основе корреляции между изомерным сдвигом и нефелоауксетическим эффектом [14], который уменьшает величину межэлектронного отталкивания в комплексах переходных ионов по сравнению с этой величиной в газообразных ионах. Нефелоауксети-ческий ряд лигандов соответствует способности лигандов образовывать ковалентные связи. Однако положение CN - в этом ряду отлично от его положения в ряду изомерных сдвигов (3.1), так как нефелоауксетический эффект для CN меньше, чем для Вг или S. Как будет показано ниже, это противоречие можно объяснить изменением заполнения частично заполненных оболочек из-за подачи электронов от металла на лиганд CN - по системе дативных л-свя-зей, которая сильно влияет на изомерный сдвиг. [9]
В полностью заполненной валентной оболочке меньше доступного пространства, чем в частично заполненной. По этой причине в заполненной оболочке отталкивания проявляются сильнее, а возможности для угловых изменений меньше, чем в частично заполненной оболочке. [10]
Простейший путь квантования этого движения, согласующийся к тому же с описанными в разделе Б свойствами ядерного вещества, состоит в рассмотрении четно-четной сердцевины как капли несжимаемой жидкости и квантовании классических уравнений гидродинамики, описывающих ее осцилляции. Однако уже само это упрощение приходится выполнять приближенным способом, как из-за сложности уравнений, так и вследствие того, что оболочечная модель должна быть в какой-то мере сохранена при анализе, чтобы обеспечить сфероидальные равновесные формы четно-четных ядер с частично заполненными оболочками. [11]
Магнитные свойства атомов также сходны в случае элементов с аналогичными внешними электронными оболочками. Атомы с целиком заполненными электронными оболочками, в частности атомы инертных газов и щелочноземельных металлов, не обладают магнитными моментами вследствие компенсации для любой заполненной оболочки всех моментов ( орбитальных и спиновых) отдельных электронов. Для частично заполненных оболочек такой компенсации, как правило, не происходит; атомы, обладающие подобными оболочками, имеют магнитные моменты и являются парамагнитными. [12]
Орбитали, соответствующие значениям момента, равным О1, 1, 2 и 3 - f называются s - t p -, d - и / - орбиталями соответственно. Электроны s - и р-состояний последних, частично заполненных оболочек, называются валентными электронами. Главные периоды периодической системы элементов содержат атомы с различным числом валентных электронов в одной и той же оболочке, и свойства атома определяются главным образом его валентностью, равной числу валентных электронов. Переходные элементы, имеющие различные числа заполнения 4 - или f - соетояний, оказываются между главными периодами. [13]
Наибольшей энергии соответствуют так называемые полосы переноса заряда, которые наблюдаются для всех ионов в конденсированных состояниях. К другому типу полос поглощения, наблюдаемому у ионов с частично заполненными оболочками, относятся полосы поля лигандов. Это название связано с тем, что лиганды создают около иона металла электрическое поле с симметрией, характерной для расположения лигандов. В поле такой симметрии пять Sd-орбиталей не являются эквивалентными, как в свободном ионе. [14]
Эту задачу можно решать методами теории поля исходя из формулы (1.74), которая справедлива для любого невырожденного собственного состояния свободного гамильтониана. Для оператора ( 21) невырожденными будут только такие состоя-ния в которых часть оболочек полностью заполнена, а остальные полностью свободны. Если хотя бы одна оболочка заполнена лишь частично, то соответствующий уровень Н0 заведомо вырожден, так как энергия не меняется при изменении способа размещения электронов в частично заполненной оболочке. [15]