Cтраница 2
Показано [ 12, что в низкотемпературной области МП уменьшает энергию активации у переохлажденного бетола. Уменьшение энергии активации примерно соответствует величине работы поворота молекулы в МП, и экспоненциальный член ехр ( - ujkT) - R формуле скорости образования зародышей оказывается большим, чем при кристаллизации в обычных условиях. В высокотемпературной области для того же бетола действие МП дает обратный эффект. [16]
Поле, перпендикулярное слою расплава, дает только сдвиг, а параллельное - также изменение высоты максимумов температурной кривой скорости зарождения. Эффект воздействия переменного поля на процесс зарождения зависит от его частоты. Так, с увеличением последней от 50 до 10 000 Гц сдвиг максимумов в область низких температур первоначально растет, а затем убывает. Для антипирина и бетола максимальный эффект получается в поле частотой 2650 Гц. При этом сдвиг максимума температуры на кривой скорости зарождения кристаллов различных веществ при одинаковой частоте возрастает с увеличением дипольного момента. [17]