Обработка - кремний
Cтраница 1
Обработка кремния также связана со значительными трудностями. Если процессы охлаждения и затвердевания проведены недостаточно тщательно, то получается очень пористый кристалл, в некоторых случаях даже напоминающий губку. Это не только усложняет задачу измерения ( так как измерения сопротивления дают при этом сомнительный результат), но такой губчатый материал не годится для изготовления диодов и триодов. Вследствие высокой температуры плавления во время этой операции происходит обезгаживание всяких вспомогательных материалов, и поскольку кремний очень активен химически, образуются различные силициды, загрязняющие расплав. Это требует применения специального экранирования и поисков способа расположения деталей, сводящего загрязнение к минимуму. Так, кремний реагирует с любыми деталями из графита, присутствующими в системе, причем образуются пленки карбида кремния. [1]
 |
Смеси на основе плавиковой и азотной кислот для обработки кремния. [2] |
При обработке кремния кислотным травителем кислоты HF и HNO3 выполняют те же функции, что и при травлении германия: HNO3 - окислитель, HF - растворитель окислов, СН3СООН - замедлитель реакции. [3]
Например, обработка кремния минеральными кислотами позволяет перевести значительную часть содержащихся в кремнии металлов в растворимые соли, которые затем можно отмыть. Разумеется, при этом исходные реагенты сами должны иметь высокую степень чистоты [13- 15] во избежание побочного загрязнения очищаемого вещества. [4]
При всех обработках кремния квазинепрерывный характер спектра быстрых состояний сохраняется. [5]
К сильному фторированию поверхности приводит также обработка кремния парами дифтора ксенона. При этом по данным РФЭС [205] образуется аморфный слой фторидов кремния. [6]
В другом варианте более целесообразной считается обработка кремния SiCU при 130СГС: SJ ( TB. [7]
Величина стабилизируемого напряжения зависит от технологии обработки кремния и его удельного сопротивления ( см. § 2.4), величина тока стабилизации - от геометрических размеров перехода и условий его охлаждения. [8]
Для определения состава поверхностных соединений SiXn, участвующих в образовании диорганодигалоген-силанов, проведена реакция хлористого метила с крем-немедным сплавом, предварительно обработанным фтористым водородом аналогично обработке кремния. [9]
Режимы резания: скорость круга 15 - 25 м / с; продольная подача, мм / мин: 10 - 25 при обработке кварца и 20 - 60 при обработке кремния, Достигаемая шероховатость поверхности Ra, мкм: 0 32 - 0 16 для кварца и 1 25 - 0 40 для кремния. [10]
Например, обработка кремния минеральными кислотами позволяет перевести значительную часть содержащихся в поверхностном слое кремния соединений металлов в растворимые соли, которые затем можно отмыть. [11]
Например, обработка кремния минеральными кислотами позволяет перевести значительную часть содержащихся в кремнии металлов в растворимые соли, которые затем можно отмыть. Таким образом достигается значительное снижение содержания металлов в кремнии. [12]
Вюртцитоподный 2Я - 51С получен Адамским и Мерцем [12] при разложении метилтрихлорсилана водородом при - 1400 С. Мы с Глуховым [ 24 - 25 3 получили ту же структуру в процессе обработки кремния, помещенного на графитовой подложке, в токе азота при - 1400 С, причем образование 2 / / - S1C шло, очевидно, путем взаимодействия кремнийсодержащего газообразного компонента с графитовой подложкой. [13]
Резка кварца и кремния осуществляется алмазными кругами с внутренней и наружной режущей кромкой. При резке деталей из кварца и кремния кругами с внутренней режущей кромкой рекомендуются марка и зернистость круга АС ( А) 50 / 40; связка - гальваническая. Режим резки: скорость круга l 5 - 25 м / с, продольная подача 10 - 25 мм / мин при обработке кварца и 20 - 60 мм / мин при обработке кремния. [14]
 |
Арсенид-галлиевый полевой транзистор с затвором Шотки. [15] |
Страницы: 1 2