Cтраница 2
Первые лабораторные интегральные схемы на основе арсенида галлия были созданы в 1980 г. В настоящее время изготавливают также ЗУПВ емкостью 1 и 4 кбит с минимальным временем выборки 3 не. Для схем, которые должны отличаться высоким быстродействием и малыми потерями ( рис. 72), кроме высокой подвижности электронов важное значение имеет и такое свойство арсенида галлия, которому нет аналога среди свойств кремния: арсенид галлия можно сделать и изолятором, например путем легирования ( до соответствующей концентрации) атомами хрома или, что делают чаще, исключения любого, в том числе и случайного, легирования. Если использовать в качестве подложки диэлектрик или полудиэлектрик из арсенида галлия, то отпадет необходимость во всех операциях по развязке элементов, которые неизбежно осуществляются для кремниевых ИС, вызывая существенное ухудшение такой характеристики, как рассеяние мощности. Представление о действительном значении арсенид-галлиевой электроники по сравнению с кремниевой дает следующая справка: если в 1975 г. годовой объем обработки пластин из арсенида галлия составил 300 тыс. шт. Сравнив эти показатели с объемами обработки кремния, когда уже в 1980 г. было изготовлено 100 млн. пластин, вы поймете, что арсенид галлия занимает весьма скромное место. Никаких серьезных изменений в этом отношении не предвидится и в будущем. [16]