Cтраница 1
Образец диэлектрика изготовляется в виде цилиндра с высотой, равной высоте резонатора, но меньшего диаметра; образец помещается кюаксиально, так, чтобы оси резонатора и образца совпадали. Диэлектрическую проницаемость вычисляют, исходя из резонансной длины волны резонатора с образцом, а также диаметров резонатора и образца. Угол потерь определяется на основании добротности Q резонатора с образцом данного диэлектрика, имеющего потери, и добротности Q резонатора с идеальным диэлектриком, не имеющим потерь, но у которого диэлектрическая проницаемость та же, что и у данного образца. Последняя величина ( Q) получается расчетным путем на основании измерений при другой длине волны без образца. При измерениях в сантиметровом диапазоне в качестве генераторов используются клистрон или магнетрон, у которых, однако, невозможно изменение длины волны в широких пределах. [1]
![]() |
Схема измерения диэлектрической проницаемости по методу двух. [2] |
Образец диэлектрика помещается в волновод между измерительной линией и короткозамыкателем. Измеряется расстояние Si от задней плоскости образца до точки короткого замыкания. Измеряется расстояние J) от передней плоскости образца до минимума напряжения в измерительной линии. [3]
![]() |
Схема автоматического измерения диэлектрической проницаемости. [4] |
Образец диэлектрика вкладывается в волновод, вплотную к короткозамыкаю-щей плоскости. Индикатор показывает происходящее при этом изменение фазового угла к. При фиксированных значениях длины волны и длины образца шкала индикатора проградуирована прямо в значениях диэлектрической проницаемости. [5]
Образец диэлектрика может быть представлен эквивалентной схемой. При низких частотах обычно используют параллельную или последовательную схему. В последовательной схеме емкость Спос включена последовательно с активным сопротивлением образца пос. [6]
Образец диэлектрика О включается в питаемую источником постоянного тока схему; при этом используются три электрода, которые для испытания образцов в форме пластин имеют форму, изображенную на рис. 1 - 3 а: измерительный электрод 1, охранный электрод 2 и электрод 4 высокого потенциала. Защитное сопротивление г ( величиной не более 1 Мом) служит для предупреждения возможности возникновения больших токов при пробое образца или случайном коротком замыкании схемы. Оно может быть использовано также для градуировки гальванометра. [7]
Через образец диэлектрика под действием приложенного к его электродам постоянного напряжения протекает ток утечки, имеющий две составляющие. Одна из них представляет собой ток, идущий по тонкому электропроводящему слою влаги с растворенными в ней веществами; этот слой образуемся в результате осаждения влаги из воздуха на поверхности образца. Это так называемый поверхностный - ток диэлектрика. Вторая составляющая - это ток, проходящий через собственно материал, через его объем. Эту составляющую именуют обьемным током диэлектрика. Эквивалентная схема образца, следовательно, должна состоять из двух соединенных параллельно сопротивлений. Первое, Rs, учитывает поверхностный ток диэлектрика, а второе, Rv, - объемный ток. Обычно стремятся измерять каждую из составляющих в отдельности, устраняя при этом влияние другой. С этой целью используют систему из трех электродов: измерительного, высоковольтного и охранного. Охранный электрод значительно выравнивает поле между измерительным и высоковольтным электродами и отводит поверхностный и объемный токи в краевых областях образца на землю так, что они не регистрируются измерительным прибором. Аналогично применяются охранные электроды и для трубчатых образцов. [8]
![]() |
Схема и электроды для определения удельных сопротивлений плоских твердых диэлектриков. [9] |
О - образец диэлектрика; V - вольтметр; G - зеркальный гальванометр; г - защитное сопротивление; г2 - шунт гальванометра; Л, и Я2 - переключатели; Э - металлический экран; а - присоединение в схему электродов для определения удельного объемного сопротивления; б - присоединение в схему электродов для определения удельного поверхностного сопротивления; / - верхний измерительный электрод; 2 - охранное кольцо; 3 - образец диэлектрика; 4 - нижний электрод; 5 - экран. [10]
![]() |
Схема и электроды для определения удельных сопротивлений плоских твердых йиэлектриков. [11] |
О - образец диэлектрика; V - вольтметр; G - гальванометр; /, - защитное сопротивление; г, - шунт гальванометра; Я, н Яг - переключатели; Э - металлический экран; а - присоединение в схему электродов для определения удель - ного объемного сопротивления; б - присоединение в схему электродов для определения удельного поверхностного сопротивления; / - измерительный электрод; 2 - охранное кольцо; 3 - образец диэлектрика; 4 - нижний электрод; 5 - экран. [12]
![]() |
Принципиальная схема для измерения удельного объемного сопротивления диэлектриков по способу непосредственного отклонения. [13] |
О - образец диэлектрика; V - вольтметр; О - зеркальный гальванометр; rt - защитное сопротивление; г - шунт гальванометра; Л, и / 7, - переключатели; Э - металлический экран. [14]
![]() |
Принципиальная схема для измерения удельного объемного сопротивления диэлектриков по способу непосредственного отклонения. [15] |