Образец - диэлектрик
Cтраница 2
О - образец диэлектрика; V - вольтметр; G - зеркальный гальванометр; fi - защитное сопротивление; rt - шунт гальванометра; П, и / Vs - переключатели; Э - металлический экран. [16]
О - образец диэлектрика; V - вольтметр; О - зеркальный гальванометр; г, - защитное сопротивление; га - шунт гальванометра; Я, и Д, - переключатели; Э - металлический экран. [17]
При испытаниях образца диэлектрика малой емкости ( до 400 пф) он включается параллельно конденсатору переменной емкости. Соединительные провода должны быть короткими и жесткими, емкость их должна учитываться при измерениях. Предварительно необходимо снизить ток до минимума ( значение множителя М - около нуля) во избежание порчи прибора, затем устанавливают переключателем нужный диапазон частот и по шкале частот - требуемую частоту. Емкость основного конденсатора устанавливают 450 пф; емкость нониусного конденсатора должна равняться нулю. В гнезда ( зажимы слева) вставляют образцовую катушку, соответствующую данному диапазону частот. [18]
При испытаниях образца диэлектрика малой емкости ( до 400 пф) он включается параллельно конденсатору переменной емкости. [19]
При изготовлении короноэлектретов образец диэлектрика помещают в поле коронного разряда. Одним из электродов является ионизированный воздух - плазма, другой заземлен. Инжектированные носители заряда создают в электрете гомозаряд. [20]
 |
Схема и электроды для определения удельных сопротивлений плоских твердых диэлектрика. [21] |
О - - образец диэлектрика; V-вольтметр; G-зеркальный гальванометр; rt - защитное сопротивление; гл-шунт гальванометра; Я, и П - переключатели; Э - металлический экран; а-присоединение в схему электродов для определения удельного объемного сопротивления; б-присоединение в схему электродов для определения удельного поверхностного сопротивления; / - измерительный электрод; 2-заземленный электрод; 3 - образец диэлектрика; 4-электрод высокого потенциала; 5-экран. [22]
 |
Образец для определения поверхностного и удельного объемного сопротивления, коррозии по поверхности. [23] |
Перед проведением испытаний образцы фодьгированных диэлектриков подвергают нормализации для устранения или частичного снижения влияния предшествущюих операций подготовки образцов. [24]
При пониженных давлениях материал образца диэлектрика и влажность воздуха мало влияют на величину напряжения поверхностного разряда. [25]
В зависимости от размеров образца испытываемого диэлектрика и выбирают нужный вариант. [26]
При испытаниях конденсатора или образца диэлектрика малой емкости ( до 400 пф) он включается параллельно конденсатору переменной емкости. Сх и Rx, представляющий собой эквивалентную параллельную схему образца с потерями, должен быть подключен к измерительному контуру. Соединитель ные провода должны быть короткими жесткими и емкость их должна учитываться при измерениях. В контур включают одяу из образцовых катушек индуктивности с вы сокой добротностью ( Q 200), входящих в комплект прибора. Индуктивность Li должна быть такой, чтобы можно было получить резонанс на требуемой частоте. [27]
При определении т или Unp образец диэлектрика выходит из строя. [28]
Для измерения tg6 и емкости образцов диэлектриков обычно пользуются такими же образцами и электродами, что и для определения удельного объемного сопротивления. [29]
 |
Аппарат Мартенса для опреде ления теплостойкости твердых органических диэлектриков. [30] |
Страницы: 1 2 3 4