Кристаллический образец

Cтраница 2

Поперечная кристалличность ( а и продольная кристалличность ( а2 закаленного и затем отожженного политетрафторэтилена, измеренные при 22 С.| Кристалличность политетрафторэтилена как функция температуры.| Кристалличность закаленного и затем отожженного нолитрифторхлорэтилена. [16]

При нагревании сильно отожженного кристаллического образца продольная кристалличность исчезает, как это видно на рис. 17 в интервале от комнатной температуры до 50 С. [17]

Показано, что кристаллический образец, содержащий небольшое количество аморфной части, проявляет хрупкость при температуре, близкой к температуре стеклования аморфного полимера того же химического строения. [18]

Зависимость разрушающего напряжения при растяжении ( / и относительного удлинения при разрыве ( 2 ПТФЭ от температуры.| Обобщенные кривые ползучести при 10 С.| Зависимость деформации растяжения ПТФЭ от времени при различных температурах и напряжениях растяжения.| Зависимость электрической прочности ПТФЭ от пористости. [19]

При небольших деформациях более кристаллические образцы имеют более высокую жесткость, чем менее кристаллические. [20]

Теоретически точка плавления кристаллического образца - это максимальная температура, при которой могут существовать полимерные кристаллы. Как правило, кристаллиты в полимерном образце плавятся в определенном температурном интервале, а не при одной температуре: Точку плавления можно измерить с помощью разных методов. На кривой зависимости удельного объема от температуры наблюдается довольно резкое скачкообразное повышение объема при температуре плавления. Следовательно, для определения этой температуры удобно использовать дилатометрический метод. [21]

Ширина запрещенной зоны кристаллических образцов As2S3 и As2Se3 соответственно равна 2 5 и 2 1 эв. У сульфида мышьяка возрастает фотопроводимость от длинноволновой границы в сторону коротких волн. Теллурид мышьяка является полупроводником п-типа с энергетическим зазором между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости в 1 зв. [23]

Ширина запрещенной зоны кристаллических образцов As2S3 и As2Se3 равна 2 5 и 2 1 эВ соответственно. У сульфида мышьяка возрастает фотопроводимость от длинноволновой границы в сторону коротких волн. [24]

Фазовая диаграмма в координатах сипа - температура для цис-1 4-попи 2-метипбутадиена. [25]

Фазовая диаграмма для ориентированного кристаллического образца, построенная в координатах длина волокна - температура, эквивалентна фазовой диаграмме в координатах объем - температу ра, характеризующей плавление при различных давлениях. [26]

ИК-Спектры калиевых солей динитрометана и его изотопозамещенных аналогов ( в см . [27]

Существенные отличия ИК-спектров кристаллических образцов солей ( табл. 37) и растворов солей динитрометана свидетельствуют о наличии несколько иной структуры кристаллических солей; в этом случае вполне возможна некоторая неравноценность геометрических параметров нитрогрупп. [28]

Контраст на изображении тонких кристаллических образцов - это дифракционный контраст, а не абсорбционный, который обычно наблюдается на изображениях реплик. [29]

Полезная информация о кристаллических образцах, которая выводится из картин К-линий, почти целиком извлекается иа рассмотрения их геометрии. В то время как существует, очевидно, некоторое соотношение между контрастом К-линий и структурными амплитудами для отражений от рассматриваемых плоскостей, в смысле количественной интерпретации наблюдаемого контраста сделано очено мало, отчасти потому, что существуют трудности, связанные с динамическими дифракционными эффектами и условиями эксперимента, и отчасти потому, что картины К-линий в большинстве случаев получают для простых веществ с хорошо известной структурой. [30]

Страницы: 1 2 3 4