Кристаллический образец
Cтраница 4
Определение температуры стеклования непосредственно на кристаллических образцах было осуществлено при нагрузках порядка сотен кГ / сл. В интервале температур, соответствующем высокоэластическому состоянию аморфного полипропилена, на термомеханической кривой кристаллического образца появляется невысокая, но отчетливо выраженная площадка. [47]
Это может иметь место в кристаллических образцах малых молекул, как показано на рис. 4.3. В ориентированных полимерах не все поглощающие центры имеют моменты перехода в одном направлении. Даже когда это направление совпадает с осью цепи, распределение направлений цепей вокруг оси волокна уменьшает дихроизм. [48]
На рис. IV.25 представлены кривые растяжения кристаллических образцов при разных температурах. В интервале температур от 90 до 180 С образцы деформируются с образованием шейки, которая является стабильной и простирается на большую длину. При 70 - 80 С шейка только начинает возникать, после чего сразу же наступает разрушение образца. При более низких температурах наблюдается чисто хрупкий разрыв без образования шейки. Полностью аморфные образцы пленок лавсана деформируются с образованием шейки в интервале температур от - 30 до 80 С. Ниже - 30 С происходит хрупкое разрушение. При температуре около 90 С предел вынужденной эластичности стремится к нулю, что соответствует приближению к температуре стеклования. [49]
Дальний координационный порядок, характерный для кристаллических образцов, можно изучать различными методами, например методом рассеяния электронов, упругих нейтронов или рентгеновских лучей. Основным условием применимости методов рассеяния для структурного анализа является использование излучения такой длины волны, которая не превышает размеров исследуемой структуры. [50]
 |
Зависимость вероятности эффекта Мессбауэра от молекулярного веса оловосодержащих соединений.| Резонансные спектры кристаллического ( а и стеклообразного ( 5 образцов. [51] |
Ширина этой линии превышает ширину линии кристаллического образца. [52]
Дальний координационный порядок, характерный для кристаллических образцов, можно изучать различными методами, например методом рассеяния электронов, упругих нейтронов или рентгеновских лучей. Основным условием применимости методов рассеяния для структурного анализа является использование излучения такой длины волны, которая не превышает размеров исследуемой структуры. [53]
После отжига при 770 - 780 С кристаллический образец, содержавший 60 % CdSe, сохранил гексагональную структуру, а кристаллический того же состава, отожженный при 710 - 700 С, приобрел сфалеритную структуру. [54]
В методе Дебая при фотографическом способе регистрации кристаллический образец дает на плоской пленке систему интерференционных линий в виде концентрических колец - дебаеграмму. Аморфный образец вызывает появление на пленке диффузного ( размытого) кольца - аморфно. Рентгенограмма одноосно ориентированного полимера напоминает рентгенограмму вращающегося низкомолекулярного кристалла; ее рефлексы располагаются на так называемых слоевых линиях, соответствующих определенным системам плоскостей кристаллической решетки. Методы с фотографической регистрацией трудоемки, длительны и сложны в расшифровке рентгенограмм. Поэтому в последнее время применяют преимущественно дифрактометрический метод. [55]
Обнаруженные изменения кривых накопления при переходе от кристаллических образцов к аморфным приводят к увеличению наблюдаемых значений Ь ( Х) 0 примерно в 1 5 раза. [56]
В настоящее время проводится более длительный отжиг кристаллических образцов с концентраций 70, 80 и 90 % CdSe и чистого CdSe при различных температурах. Это позволит более точно определять ширину и температурное положение двухфазной области в этих сплавах. [57]
Следует указать, наконец, на ра - кристаллический образец. [58]
Страницы: 1 2 3 4