Более тонкий образец

Cтраница 2

Измерения проводились при помощи индентора RMA при 25 % - ном вдавливании его и выдержке в течение 1 мин на образцах размером 38 1X38 1X10 15 см. При испытании более тонких образцов часто получаются менее четкие результаты. [16]

ПК спектр поглощения UCU в расплавленном ZnCl2 при 575 С.| ИК спектр пропускания солей CsC. - HCI. [17]

С под слоем - 15 мм НС1, удаления избытка последнего и охлаждения до - 95 С; 2 - тот же образец, охлажденный до - 253 С; 3 - более тонкий образец, обработанный, как указано в поз. С и охлаждения до - 253 С; 5 -то же, но более тонкий образец [ J. [18]

Перечислим для ряда веществ ориентировочные длины волн, на которых через образцы толщиной 5 мм проходит 50 % падающего света: оконное стекло - 350 нм, пирекс - 330 нм, кристаллический кварц - - 185 нм, сверхчистый кварц-165 нм, CaF2 - 135 нм, LiF-107 нм. Более тонкие образцы пропускают существенно более короткие длины волн. Свет с длиной волны меньше примерно 200 нм поглощается кислородом, поэтому при исследовании систем в диапазоне длин волн чуть короче 200 нм необходимо заменять воздух на азот. [19]

Стекло при испытании на растяжение показывает обычно значение предела прочности авр 120 - 150 МПа. Но если вытягивать из него на горелке все более и более тонкие образцы, то обнаруживается характерная зависимость: по мере уменьшения диаметра образца предел прочности начинает возрастать; сначала незаметно, а затем, по мере дальнейшего утончения уже не прутка, а нити, все быстрее и быстрее. [20]

Стекло при испытании на растяжение показывает обычно значение ств. Но если вытягивать из него на горелке все более и более тонкие образцы, то обнаруживается характерная зависимость: по мере уменьшения диаметра образца временное сопротивление начинает возрастать; сначала незаметно, а затем, по мере дальнейшего утончения уже не прутка, а нити, все быстрее и быстрее. [21]

Стекло при испытании на растяжение показывает обычно значение предела прочности ствр 120 - 150 МПа. Но если вытягивать из него на горелке все более и более тонкие образцы, то обнаруживается характерная зависимость: по мере уменьшения диаметра образца предел прочности начинает возрастать; сначала незаметно, а затем, по мере дальнейшего утончения уже не прутка, а нити, все быстрее и быстрее. [22]

Для испытаний по ГОСТу 270 - 64 применяют [4] резиновые образцы различных размеров. При одинаковой ширине и длине рабочего-участка прочность оказывается больше у более тонких образцов и меньше - у более толстых. [23]

Четыре основных типа напряжений, возникающих в клеевом соединении [ Л. 19 - 84 ].| Напряжение, прикладываемое во время испытания к клеевому соединению внахлест до применения усилий.| То же, что 19 - 9, но для деформированного соединения.| Влияние длины клеевого соединения внахлест, выполненного на основе DGEBA, отвержденного ТЕТА, на расчетные напряжения, которые в нем возникают [ Л. 19 - 33 ]. [25]

Если применяются жесткие эпоксидные клеи, то увеличение длины клеевого слоя образцов ведет к уменьшению напряжений при разрушении. В этой таблице приведено влияние увеличения толщины клеевого слоя на концентрацию напряжений. Так как толщина клеевого слоя увеличивается, то расчетное напряжение ( кгс / см2) уменшается. В более тонких образцах, видимо, происходит более равномерное распределение напряжений, чем в толстых. Таким образом, прочность клеевого слоя зависит от его эластичности, эластичности клеевых образцов и площади склеенного слоя, к которой приложены силы отрыва. [26]

Реальная и мнимая части диэлектрической функции GaAs, измеренные с помощью эллипсометрии. Сплошная кривая получена для атомарно чистой поверхности, штриховая кривая для поверхности, покрытой пленкой окисла. [27]

Если энергия фотона возрастает до величины, большей ширины запрещенной зоны, то обычно коэффициент поглощения полупроводника быстро возрастает до значений 104 см 1 и выше. Вследствие этого образец становится непрозрачным для таких фотонов, если только его толщина не очень мала. Поэтому а 1 называется оптической злу-биной проникновения. Поскольку а имеет тенденцию быстро возрастать, когда энергии фотона становится больше ширины запрещенной зоны, для ее измерения в широком диапазоне энергий требуется набор все более тонких образцов. [28]

Удлинение надреза сравнивалось с удлинением образца в тех областях, на которые надрез не оказывает влияния. Чем больше толщина образца, тем меньше было относительное удлинение надреза; этот эффект, по-видимому, связан с усложненным распределением напряжений в надрезе толстых образцов. Для ненаполненного вулканизата натурального каучука, имеющего удлинение при разрыве 740 %, удлинения надреза, инициирующие раздир, составляли 250 - 700 % в зависимости от толщины образца. Для более тонких образцов ( толщиной 1 4 мм) удлинения надреза были примерно в 4 - б раз больше общего удлинения полоски. [29]

Характер разрушения образца композита Т140А - В ( отжиг 1144 К, 1 5 ч при поперечном растяжении. [30]

Страницы: 1 2 3