Cтраница 3
При испытаниях под углами 60 и 90 разрушение происходит в основном не по поверхности раздела, а путем расщепления волокон, и, значит, при данных условиях испытания прочность поверхности раздела превышает поперечную прочность волокна. Хотя двух - и четырехслойные образцы обладают примерно одинаковой прочностью при растяжении, они различаются по характеру распределения разрушенных волокон. В образцах большей толщины расщепление волокон происходит по всей ширине рабочей части образца. В таких образцах большей толщины поперечное сечение уменьшается пропорционально сечению расщепленных волокон, и матрица благодаря деформационному упрочнению может взять на себя нагрузку, высвобожденную расщепленным волокном, раньше, чем в данной точке начнется разрушение композита. В более тонких образцах расщепление волокна уменьшает поперечное сечение до такой степени, что композит разрушается раньше, чем матрица оказывается в состоянии компенсировать это уменьшение за счет деформационного упрочнения. [31]
Поскольку р-излучение UXj может быть полностью поглощено 25 - 30 мг / см - алюминия, над образцом укрепляют тонкую алюминиевую фольгу около 0 075 - 0.1 мм толщиной. Полупоглощающая толщина для излучения UX2 равна в алюминии приблизительно 120 мг / см -, и таким образом теряется только несколько процентов интенсивности излучения UX. На 10см - требуется около 350 мг. На эти потери нужно внести поправку. Когда работают со счетчиком Гейгера-Мюллера или с чувствительными ионизационными камерами, применяют более тонкие образцы, соответствующие по активности Ю-2 или 10 3 лс. При таких активностях не происходит сколько-нибудь заметного самопоглощсния. [32]
Он выделял три типа путей: анодные, катодные и пути однородного поля. Обнаруженная разница между этими путями в пластинках кристаллов хлористого натрия и бромистого калия толщиной свыше 0 1 мм состоит в следующем. Анодные пути, образованные при использовании ферритового электрода в форме тупой иглы ( 0 2 мм в диаметре), формируются не со стороны анода, а на некотором расстоянии от него, даже когда подавлены разряды, предшествующие пробою. Катодные пути формируются на катодной стороне, они шире и вызывают большие разрушения кристалла, чем анодные пути. Как анодные, так и катодные пути пробоя ориентируются, хотя их ориентация может быть различной; в более тонких образцах ( менее 0 1 мм) ориентированы только катодные пути. Пути однородного поля не ориентированы, они следуют направлению приложенного поля. Хотя Каспари получал такие пути в сечениях ( 100) хлористого натрия и бромистого калия, расположенных между параллельными электродами, покрытыми стеклом, возможно, путь пробоя в бромистом калии кристаллографически ориентирован, так как прилагавшееся поле было параллельно как анодным, так и катодным путям. [33]
Фундаментальным механическим свойством является модуль упругости. В направлениях, параллельных ( 001), экспериментальные модули упругости Е1 лежат в пределах 0 12 - 0 28 ТПа для мусковита и 0 14 - 0 19 ТПа для флогопита. Колебания обусловлены главным образом различиями в количествах микроскопических расслоений в испытываемых образцах при обычно принятых измерениях методом прогиба. Если в сечении образца имеются микрорасслоения, его истинная жесткость уменьшается и получается заниженное значение Et. Поэтому следует считать, что истинные значения Ег для идеального кристалла слюды ближе к максимальным экспериментальным значениям или даже превышают их. Это подтверждается увеличением экспериментальных значений EI при испытаниях более тонких образцов, в которых имеется меньше расслоений, чем в толстых образцах. [34]
Из табл. 15 следует, что при любой определенной температуре кристаллизации большие периоды тонких образцов меньше, нежели у более толстых. Различие особенно велико при низких температурах, но несколько уменьшается при возрастании температуры кристаллизации. Эффект толщины образца может быть объяснен трудностями проведения изотермической кристаллизации полимера с относительно высокой скоростью кристаллизации при больших переохлаждениях. Для тонких образцов скорость охлаждения от расплава до температуры кристаллизации выше и, следовательно, теплота кристаллизации легче диссипирует. Таким образом, при низких температурах условия изотермической кристаллизации реализуются с лучшим приближением для более тонких образцов, и значения d, полученные для них, в большей степени приближаются к равновесным. [35]