Массивный образец

Cтраница 1

Полупроводниковые массивные образцы могут удовлетворять требованиям по удельному сопротивлению, однако они имеют большой отрицательный температурный коэффициент. Полуметаллы, ia - кие, как висмут и сурьма ( и их сплавы) [8], по сравнению с металлами, имеют увеличенное удельное сопротивление, однако низкие точки плавления и относительно высокие температурные коэффициенты не позволяют использовать их для изготовления резисторов. [1]

Поэтому массивный образец имеет высокое сопротивление и наряду с Шоттки-барьерами дает вклад в емкость. [2]

Термодесорбционные спектры газов, адсорбированных на поликристаллическом вольфраме. [3]

Для массивных образцов, помимо влияния грани кристалла, установлено влияние размера металлических частиц. Это явление объясняется хемосорбцией на центрах, расположенных в вершинах кристаллитов, где происходит, как полагают, упрочнение связи металл-углерод и одновременное ослабление и поляризация карбонильной группы. Усиление интенсивности полос поглощения наблюдается при адсорбции азота ( предположительно в молекулярной форме) на частицах диаметром менее 7 нм. [4]

Для массивных образцов Хершпинг [60] и Кокбейн и Хэрроп [54] экспериментально показали, что первый член для некоторых материалов является постоянной К. [5]

Схема отражательного микроскопа. О, - угол облучения, - угол наблюдения. [6]

Поверхность массивного образца ( металл, нолу-пронодннк, металлизированный диэлектрик) облучается и отражат. Распределение отраженных ( рассеянных) электронов по углам и по энергиям при заданной скорости облучающих электронов существенно зависит от углов д ] ( угла облучения) и 02 ( угла наблюдения) и от материала объекта. Образование изображения в отражат. [7]

Окисление плоских массивных образцов сопровождается образованием окалины. В случае получения тонких, проницаемых для окислителя пленок окалины или газообразных продуктов окисления процесс описывается к. [8]

Для массивных образцов полимеров характерны унимодальные кривые распределения. [9]

Фазовращатель [ IMAGE ] Фазочастогные характеристики. [10]

В массивных образцах в отсутствие дальнодействующих сил взаимодействия между частицами число границ между равновесными фазами минимально. Если же в одной из фаз существует дальнодействую - П) поле ( электрическое, магнитное), выходящее из вещества, то энергетически более выгодны равновесные состояния с большим числом периодически расположенных фазовых границ ( ферромагн. Форма границ раздела фаз определяется условием минимальности значения поверхностной энергии. Так, в двухкомпонентной смеси при условии равенства плотностей фаз граница раздела имеет сферич. Огранка кристаллов определяется плоскостями, поверхностная энергия к-рых минимальна. [11]

В виде массивных образцов используется для электронагревателей и различных термостойких изделий, работающих при температуре до 1700 К в окислительных средах. [12]

Эяектроиограмма от текстуры 1п, е -.| Кристаллическая структура 2 5 днкетошшеразина, рассчитанная с помощью ЭВМ. Сгущение линий соответствует положениям атомов С. N. О и Н. [13]

При изучении массивных образцов используют дифракцию электронов на отражение, когда падающий пучок как бы скользит по пов-сти образца, проникая на глубину 5 - 50 нм. Кикучи, на основании к-рой можно делать выводы о совершенстве структуры. [14]

Процесс получения массивных образцов композита достаточно сложен и состоит из последовательных операций смешивания, укладки, прессования и механической обработки. [15]

Страницы: 1 2 3 4