Образование - дырка
Cтраница 1
Образование дырок в кристалле связано с увеличением потенциальной энергии атома на величину, равную теплоте испарения. Эта избыточная энергия может быть сообщена как за счет деформирования материала, так и за счет его нагрева. [1]
 |
Образование коваленткых [ IMAGE ] Плоская схема структуры. [2] |
Образование дырки показано на потенциальной диаграмме ( рис. 2.6), которую легко получить из энергетической диаграммы для отдельного электрона. В этом случае значения энергии W ( в электрон-вольтах) и разности потенциалов ф3 ( вольтах) совпадают. [3]
 |
Образование дырки в чистом кристаллическом полупроводнике. [4] |
Образование дырки показано на потенциальной диаграмме рис. 2.6, которую легко получить из энергетической диаграммы для отдельного электрона, энергия которого измеряется в электрон-вольтах. В этом случае числовые значения энергии, выраженные в электрон-вольтах и вольтах совпадают. Потенциальная диаграмма ( см. рис. 2.6) иллюстрирует процесс образования пары: дырки и электрона. [5]
Образование дырок обусловливает величину теплоты плавления и теплоты испарения. Возникновение в координационной сфере расплава дырок вместо атомов связано с удалением последних, на что расходуется энергия, необходимая для плавления. Поскольку при испарении каждый атом теряет 1 1 своих соседей, то можно предположить, что теплота испарения должна быть в 11 раз больше теплоты плавления. [6]
Образованию дырки отвечает переход электрона из валентной зоны на акцепторный уровень. Обратный переход соответствует разрыву одной из четырех ковалентных связей атома примеси с его соседями и рекомбинации образовавшегося при этом электрона и дырки. [7]
Оптически стимулированное образование дырок, наблюдавшееся в антрацене после фотоокисления поверхности [402], можно объяснить присутствием несобственных поверхностных ловушек. Применяя данный метод ( см. гл. Однако полной уверенности в том, что поверхностные электронные состояния представляют собой молекулярный антрахи-нон, до сих пор нет. [8]
Работа образования дырки в среде неподвижной фазы для размещения молекулы сорбата вычисляется на основе эксперимента с различными модельными соединениями. Этот член зависит от структуры жидкости, от формы молекулы сорбата и других факторов. [9]
Схему образования дырок рассмотрим на примере строения атома кремния, так как кремниевые управляемые вентили ( КУВ) широко применяются в полупроводниковой технике. У атома кремния 14 электронов ( рис. 1.6), из которых 4 валентные. Предположим, что один из валентных электронов под влиянием тех или иных причин, например электрического поля, покинул атом. [10]
Поскольку для образования дырки достаточно отрыва одного заместителя, этот механизм кинетически более вероятен, чем механизм, предложенный Михаэлисом. [11]
Поскольку для образования дырки достаточно отрыва одного заместителя, этот механизм кинетически более вероятен, чем механизм, предложенный Михаэлисом. [12]
Тзи сопровождается образованием дырки в заполненной зоне. [13]
Возможность и легкость образования дырок определяется подвижностью ( гибкостью) сегментов макромолекул. Если цепь гибкая, то отдельные участки цепей могут раздвигаться без большой затраты энергии. Затрачиваемая энергия компенсируется при этом энергией взаимодействия звеньев цепей с молекулами диффундирующего вещества. Снижение подвижности цепей за счет повышения энергии когезии при введении в полимер полярных групп приводит к уменьшению его проницаемости. Полимеры с гибкими цепями ( СКН-18, СКН-26) растворяются в бензоле полностью. Сополимер СКН-40 ограниченно набухает; жесткий полимер - полиакрилонитрил в бензоле не растворяется и практически не набухает. [14]
Это приводит к образованию дырок в валентной зоне и к дырочной примесной проводимости. Примеси, захватывающие электроны, называются акцепторными. [15]
Страницы: 1 2 3 4