Образование - дырка
Cтраница 2
 |
Механизм возникновения электронной и дырочной проводимости у германия ( двумя черточками обозначены связи между атомами германия, осуществляемые спаренными электронами. [16] |
Это приводит к образованию новой дырки. Под действием электрического поля происходит направленное перемещение дырок, что эквивалентно перемещению положительного заряда. Такая проводимость называется дырочной. [17]
 |
Дырочный полупроводник. [18] |
Энергия ионизации при образовании дырки мала по сравнению с Eg германия или кремния. В этом случае образуется примесный незаполненный уровень, расположенный на 0 01 - 0 05 эВ выше верхней границы заполненной зоны. Уже при температуре, близкой к нормальной, незаполненный примесный уровень захватывает электроны из заполненной зоны, при этом в последней образуется дырка, обусловливающая проводимость. Примесный уровень в полупроводниках n - типа имеет смысл назвать уровнем, который снабжает зону проводимости электронами, и потому его называют донорным уровнем. В противоположность такому уровню незаполненный примесный уровень, который захватывает электроны из заполненной зоны, носит название акцепторного уровня. Полупроводники, подобные показанному на рис. 5 - 1 - 5, называют дырочными полупроводниками ( р-типа), так как носителями заряда, обусловливающего проводимость, служат дырки-места с положительным зарядом. [19]
Доказательство того, что образование дырок происходит более легко в кристаллических плоскостях, по которым отдельные кристаллы соприкасаются в пространстве, было получено не только для полиэтилена, но и для монокристаллов поливинилового спирта. Для полиоксиметилена характерно не полное утолщение кристаллов, а лишь появление утолщенных краев вокруг дырок. У полиоксиметилена обнаружена также зависимость скорости отжига от природы подложки. [20]
Тепловая энергия может вызвать образование дырки рядом с дефектом в нестехиометрических кристаллах типа / / / и IV. Это равносильно перемещению дырки, что обусловливает способность кристалла проводить электрический ток. Такого типа кристаллы также являются полупроводниками. [21]
Энергия активации, необходимая для образования дырки, возрастает с увеличением размера дырки. Однако из-за большого размера молекул наблюдались 3839 не только различия во времени проникновения фреонов через резины на основе полярных каучуков, но и меньшие значения коэффициента проницаемости для фреона 142 ( см. разд. Первое определяется молекулярным взаимодействием движущейся молекулы с окружающими атомными группами полимерной цепи и пропорционально числу атомных групп в диффундирующей молекуле. Лобовое сопротивление связано с необходимостью раздвинуть молекулы полимера для образования щели требуемых размеров. Это сопротивление пропорционально поперечному сечению диффундирующей молекулы и зависит от взаимодействия между молекулами полимера. [22]
Мы уже видели, что образование дырок при ионизации галлия сдвигает электронно-дырочное равновесие в сторону ионизации лития, а, следовательно, верхнее равновесие сдвигается вправо. Ассоциация ионов Оа-и Li приводит к уменьшению [ Li ], что также вызывает смещение верхнего равновесия вправо. [23]
Таким образом, свободная энергия образования дырки равняется постоянной доле - несколько большей одной трети от энергии испарения молекулы. Замечательно, что одинаковые результаты получаются как для воды и других ассоциированных жидкостей ( даже глицерина), так и для таких неполярных веществ, как углеводороды. [24]
При втором способе определения энергии образования дырок можно воспользоваться следующими соотношениями [22], в которых фигурируют взаимная потенциальная энергия ф изолированной пары молекул, фактор суммирования s и скрытая теплота парообразования А, приходящаяся на одну молекулу. [25]
Благодаря наличию структурных пустот энергия образования дырки в самодиффузии воды не имеет особого значения. Это соответствует выводам работы [116], где установлено, что изменение объема при образовании активированного состояния, вычисленное из зависимости коэффициента самодиффузии от давления, отрицательно. [26]
 |
Характеристика диода для прямого и обратного направлений тока.| Силовые диоды. а - диод типа ВКД-500 без воздушного охладителя и с охладителем. б - условные обозначения диодов в схемах. [27] |
Тепловой ток iT, определяющийся образованием дырок и электронов при тепловом движении, остается неизменным для данной температуры. Поэтому счростом приложенного напряжения увеличивается ток / if-ij стремясь по величине к тепловому току ( рис. 18 - 4), который относительно мал. [28]
Кроме того, предполагается, что образование дырок при переносе электрона на четырехкоординированный атом А1 ( центр Бренстеда) может приводить к освобождению подвижного протона, который в условиях облучения может захватывать электрон с образованием, атомарного водорода, присоединяющегося затем к двойной связи. [29]
Дырочная теория жидкостей позволяет рассчитать энергию образования дырок в расплавах [504] и, таким образом, оценить ее вклад в энергию активации процессов миграции. [30]
Страницы: 1 2 3 4