Образование - карбид - кремний
Cтраница 2
Наряду с образованием карбида кремния в печи получается одноокись кремния ( монокс) SiO. Она образуется в тех зонах, где температура находится в пределах 1500 - 1700 С. [16]
 |
Зависимость термодинамическо. [17] |
Однако ход процесса образования карбида кремния определяют не только величины термодинамических потенциалов, но и условия протекания реакции и, главным образом, величина поверхности взаимодействия между реагентами. [18]
Для рассмотрения процесса образования карбида кремния следует ознакомиться с физико-химическими свойствами исходных веществ и веществ возможных продуктов реакции: кремнезема, окиси кремния и силоксикона. [19]
Так как процесс образования карбида кремния в печи протекает до конца при применении сравнительно крупных зерен кварца и углерода, приходится допустить, что один из компонентов реагирует в печи в газообразном состоянии. Давление паров кремнезема при 1470 - 1590 равно 0 1 мм. SiCb достигает нескольких десятков миллиметров ртутного столба. [20]
Наиболее точное значение теплоты образования карбида кремния может быть вычислено по измеренным Хамфри, Тоддом, Кухлиным и Кингом [2158] ( работа цитируется по [3434]), теплотам сгорания кубической ( 7248 7 кал / г) и гексагональной ( 7276 1 кал / г) модификаций карбида кремния в кислороде. [21]
 |
Упругость паров кремния ( / - над жидким кремнием. - парциальное давление над карбидом кремния и карбида кремния (.. - над твердым карбидом кремния. [22] |
Более подробное рассмотрение механизма образования карбида кремния из кремнезема и углерода [28] привело к выводу, что этот процесс протекает в две стадии. [23]
Некоторая часть кремнезема идет на образование карбида кремния SIC, оседающего на подине и повышающего ее сопротивление. [24]
Некоторая часть кремнезема идет на образование карбида кремния SiC, оседающего на подине и повышающего ее сопротивление. [25]
 |
Распределение температуры по зонам печи ( / - IV в зависимости от времени t при. [26] |
Температурные условия печи определяют процесс образования карбида кремния, а тепловые потери являются критерием правильного выбора длительности кампании. [27]
Кроме перечисленных промежуточных реакций при образовании карбида кремния, в системе кремнезем-углерод может протекать восстановление SiO2floSiO - одноокиси кремния. Образование SiO в производстве карбида кремния было обнаружено давно, и уже в 1905 г. [37] был взят патент на производство этого соединения, получившего промышленное название монокс. [28]
При разогреве печи, до начала образования карбида кремния ток проходит по сердечнику, так как шихта имеет большое удельное сопротивление ( примерно 10 ом-см при 1600 С) и практически неэлектропроводна. Поэтому нагрев шихты происходит путем теплопередачи от сердечника. По мере образования вокруг сердечника слоев графита ( см. ниже) и карбида кремния, имеющих малое удельное сопротивление ( соответственно 0 12 и 0 4 ом-см) происходит перераспределение тока, при этом часть тока проходит по слоям графита и карбида кремния, шунтируя сердечник. Поэтому зона непосредственного выделения тепловой энергии расширяется в радиальном направлении, что способствует увеличению толщины слоя карбида кремния. [29]
С этой точки зрения, процесс образования карбида кремния зависит от скорости испарения окиси кремния ( или от давления ее паров) и скорости взаимодействия окиси кремния с углеродом. Примеси способствуют переходу окиси кремния в более устойчивую модификацию и, следовательно, понижению упругости ее пара, поэтому они в данном случае играют отрицательную роль. Реакционная способность углерода зависит от размеров кусков антрацита или кокса, микропористости, структуры, зольности и других факторов. [30]
Страницы: 1 2 3 4