Образование - карбид - кремний
Cтраница 3
Из этого следует, что реакция образования карбида кремния является эндотермической и требует большой затраты тепла для того, чтобы она протекала в желаемом направлении. [31]
Расход тепла слагается из его затрат на образование карбида кремния, на восстановление примесей, на нагрев твердых продуктов и частей печи. [32]
Механизм взаимодействия окиси кремния с углеродом при образовании карбида кремния наиболее вероятно представляется в следующем виде. [33]
Климовой и др. 72 73 показали, что образование карбидов кремния в условиях скоростного сожжения различных кремнийорганических соединений протекает различно. Например, силаны, содержащие хотя бы один алкоксильный или нафтильный радикалы, сгорают, как правило, без образо - вЗ Ния карбидов кремния. Алкил - и алкенилсиланы, напротив, легко образуют карбиды кремния. Поэтому сжигание таких веществ следует проводить медленно. [34]
 |
Значения стандартной свободной энергии ЛОТ. [35] |
Рентгенофазовые исследования показали, что в среде аргона образование карбида кремния происходит в верхних слоях электрода, в то время как в атмосфере воздуха карбид кремния не образуется. Термодинамическая интерпретация процессов восстановления элементов позволяет также отметить, что концентрация атомов элементов в газовой фазе уменьшается при применении воздуха из-за связывания их в монооксиды. В атмосфере аргона нет процесса связывания свободных атомов в монооксиды, а идет восстановление до металлов. [36]
 |
Фазовая диаграмма бинарной системы С-Si. [37] |
Их данные были положены в основу расчета теплоты образования карбида кремния. [38]
Реакционной называется зона печи, где протекает процесс образования карбида кремния. [39]
При взаимодействии углерода с кремнием в процессе силициро-вания графитов образование карбида кремния возможно в термодинамическом отношении при температуре ниже 2000 С. Наиболее благоприятны условия образования карбида кремния при взаимодействии углерода с жидким кремнием. В этом случае одновременно с образованием SiC происходит насыщение кремния углеродом, что способствует формированию карбидного каркаса вследствие перекристаллизации через жидкую фазу. [40]
При взаимодействии углерода с кремнием в процессе силициро-вания графитов образование карбида кремния возможно в термодинамическом отношении при температуре ниже 2000 С. Наиболее благоприятны условия образования карбида кремния при взаимодействии углерода с жидким кремнием. В этом случае одновременно образованием SiC происходит насыщение кремния углеродом, что способствует формированию карбидного каркаса вследствие перекристаллизации через жидкую фазу. [41]
Процесс углетермического восстановления высококремнистых ферросплавов и особенно силикокальция сопровождается образованием карбида кремния. [42]
Применение смеси волокнистого асбеста с окисью хрома дает возможность избежать образования карбидов кремния. При этом оказывается возможным из одной навески анализируемого вещества проводить количественное определение кремния наряду с определением углерода и водорода. [43]
 |
Максимальная работа реакций, возможных в системе Si-О - С ( по Каменцеву. [44] |
На этом основании более вероятно, по мнению Новикова, образование карбида кремния по реакциям ( 1), ( 2), ( 3), чем через силоксикон. Как известно, возможность протекания химической реакции при данной температуре определяется положительным значением ее максимальной работы, а равновесное состояние - нулевым значением этой работы. [45]
Страницы: 1 2 3 4