Образование - анионный комплекс
Cтраница 1
Образование анионных комплексов СиХрТ в спиртовых растворах гораздо более предпочтительный процысс, чем в водшх растворах. [1]
Для образования анионных комплексов с успехом могут быть использованы некоторые акцепторные растворители, если реагенты хорошо растворимы в них. [2]
Обнаружено образование анионных комплексов эйнштейния в концентрированных растворах хлорида лития: и тиоцианата аммония. [3]
Электромиграционные опыты [540] определенно указывают на образование анионных комплексов в сульфатных растворах. [4]
 |
Некоторые осадительиые реакции протактиния в разбавленной серной кислоте. [5] |
Вследствие склонности Pa ( V) к образованию анионных комплексов он способен экстрагироваться сильноосновными экстрагентами и, в частности, высшими аминами из растворов азотной, лимонной, бромистоводородной, щавелевой, роданистоводородной, серной и фосфорной кислот. В этом случае экстрагируется ионная пара, состоящая из анионного комплекса, в состав которого входит Pa ( V), и ониевого катиона, образованного экстрагентом. В таких системах коэффициент распределения обычно возрастает с повышением кислотности водного раствора, однако воспроизводимость данных не всегда хорошая из-за явления гидролиза. После замены связи Ра - X связью Ра - ОН может происходить необратимая конденсация гидролизованных форм с образованием неэкстрагируемых многоядерных гидроксокомплексов. [6]
С ростом степени окисления Мп способность к образованию анионных комплексов и их устойчивость возрастают, что обусловливает увеличение кислотных свойств бинарных соединений. [7]
Склонность халькогенид-ионов выступать в качестве лиган-да при образовании анионных комплексов уменьшается при увеличении порядкового номера халькогена. Даже такое сильное основание, как ион S2 -, представляет собой слабый лиганд. На образование соответствующих анионных комплексов сильное влияние оказывает рН раствора. [8]
При выделении радиоактивных РЗЭ из облученного гафния используется образование оксалатных анионных комплексов гафния, не сорбирующихся на катионите; РЗЭ количественно поглощаются катионитом К. [9]
Ионы же ОН препятствуют образованию катионных и способствуют образованию анионных комплексов. Аналогичную роль играют и другие отрицательные ионы - ON, F - и пр. [10]
Понятно, что по мере повышения степени окисления тенденция к образованию анионных комплексов возрастает. [11]
Из рисунка видно, что в зависимости от концентрации лиганда возможно образование электронейтральных и анионных комплексов никеля с диметилглиоксимом. [12]
В присутствии комплексообразователей адсорбция радиоколлоидов заметно уменьшается, вероятно, за счет образования анионных комплексов. [13]
Так, ионы ОН3 способствуют образованию катионных комплексов и, наоборот, препятствуют образованию анионных комплексов. Ионы же ОН - препятствуют образованию катионных и способствуют образованию анионных комплексов. Аналогичную роль играют и другие отрицательные ионы - CN -, F и пр. [14]
Так, ионы ОН3 способствуют образованию катионных комплексов и, наоборот, препятствуют образованию анионных комплексов. Ионы же ОН - препятствуют образованию катионных и способствуют образованию анионных комплексов. Аналогичную роль играют и другие отрицательные ионы - CN -, F - и пр. [15]
Страницы: 1 2 3 4