Образование - пик
Cтраница 2
Центры, обусловливающие появление пика при 5740 А, являются / - центрами, а образование пика при 3500 А обусловливается электронодефицитными центрами или F-центрами того или другого типа. Этот определенный вывод был сделан в связи с тем, что, как установлено, в облученных кристаллах имеется недостаток азота. Исходя из этого центры, обусловливающие поглощение на длинноволновой стороне пика F, представляют электроноизбыточные агрегатные центры, называемые для удобства R, Jkf-центрами. Если такое отнесение правильно, то отношение числа агрегатных центров к числу / - центров должно быть структурно чувствительным, поскольку агрегация должна в большей мере происходить в дефектных кристаллах с дислокациями. Для решения этого вопроса было бы полезно исследовать кристаллы, облученные нейтронами, однако это предположение подтверждается и результатами исследования поликристаллических образцов, облученных УФ-излучением при 77 К. [16]
Член Nbp в табл. 2 относится к той части непрерывного спектра, которая приводит к образованию пика тормозного излучения ниже края полосы - поглощения. Член Nbt представляет общее число фотонов при энергиях выше края полосы поглощения. [17]
Первично выбитый атом ( ПВА) с энергией около 540 эВ может рассеять энергию отдачи путем образования теплового пика, или так называемой горячей зоны. Горячая зона характеризуется следующими параметрами: размерами; временем существования; температурой. [18]
При программировании температуры рекомендуется использовать фильтр с молекулярными ситами ( 5А) для удаления следов воды, которая вызывает образование многократно повторяющихся пиков при программировании. Для осушки одного большого баллона газа достаточна колонка длиной 0 7 м и диаметром 6 мм. [19]
Как видно из этой кривой, суммарное действие обоих факторов, характеризуемых графиками 3 и 4, приводит к образованию пиков потенциалов вблизи точек отсосов и к некоторому увеличению смещения потенциалов на остальной части газопровода. Градиенты поля в земле быстро затухают по мере удаления от анодного заземления. Поэтому этот пик проявляется только на ограниченном участке вблизи точки отсоса катодной станции и мало сказывается на потенциалах остальной части газопровода. Для прекращения почвенной коррозии с помощью катодной защиты необходимо сместить потенциал подземного сооружения на 0 3 в к более отрицательному значению. Благодаря спаду потенциала на значительной части газопровода величина его оказывается более электроотрицательной, чем это требуется для прекращения коррозии. Защита действует на участке сооружения от точки отсоса до той точки, где потенциал снижается до значения - 0 3 в. На всем остальном его протяжении защита оказывается неполной. Поэтому для защиты подземного сооружения стремятся так расположить станции, чтобы добиться смещения - 0 3 в на всей его длине. Чем быстрее снижается потенциал, тем чаще приходится ставить катодные станции. С точки зрения автоматизации и телемеханизации этих установок увеличение количества последних чрезвычайно невыгодно, так как ведет к повышению числа контролируемых пунктов. [20]
 |
Кривые прессования при централизованном гидроприводе одной ступени давления ( а, двух ступеней давления ( б и при индивидуальном. [21] |
Работа пресса в первой половине хода частично затрачивается г ( заштрихованная площадь на рисунке) на создание инерционного давления с образованием бесполезного пика давления во второй части хода. Величина пика а - Ъ - с зависит от характера изменения ускорения жидкости в цилиндре и может быть снижена искусственно, например дросселированием жидкости, подаваемой в Цилиндр в период холостого хода. [22]
При расчете состава смесей относительным методом [2], предварительно решая системы линейных уравнений, определялись доли участия каждого компонента в образовании расчетных пиков, а затем при помощи коэффициентов относительной ионизуемости определялись концентрации компонентов в смеси. [23]
Летертр [7] считает, что вероятность появления пиков смещения в а-уране при прохождении осколков деления должна быть несколько выше и на образование пиков смещения расходуется около 8 МэВ из Е 8 7 2 7 МэВ, теряемой осколками в упругих столкновениях. [24]
Таким образом, в отличие от всех других пиков, появление которых возможно главным образом только при облучении фосфора рентгеновским излучением, образование пика при-130 С происходит также под действием ультрафиолетовых лучей, способных вызывать лишь возбуждение центров свечения, а не их ионизацию. Отсюда следует, что пик при - 130 С должен быть обусловлен метастабильными уровнями самого активатора. [25]
Детальное изучение механизма образования этих линий не проводилось, однако можно думать, что механизм их образования, повидимому, аналогичен механизму образования дробных пиков в масс-спектре метана. [26]
Таким образом, можио предположить, что облучение деформированной стали дейтонами, как и радиационный захват нейтронов, приводят к радиационному отжигу мартенсита деформации вследствие локального разогрева области коло ( первично выбитого атома, что подтверждает гипотезу образования тепловых пиков. [27]
Образование пика наименее выражено при авиаразбрасывании измельченной мочевины и наиболее отчетливо проявляется при использовании гранулированной аммиачной селитры с известью. [28]
 |
Масс-спектр масляного альдегида. Образование пика иона ( М - 1 с т / е 71 и пика иона М с т / е 72. [29] |
Если рассмотреть масс-спектр, например, н-масляного альдегида ( рис. 60), то в нем можно обнаружить ряд пиков, обусловленных ионами, возникающими в результате различных разрывов. Образование пика иона ( М - 1) с т / е 71 и пика иона ( М - 43) с т / е 29 обусловлено простыми а-разрывами. [30]
Страницы: 1 2 3 4