Образование - поле
Cтраница 2
Значительную опасность представляют и взрывы частично заполненных или порожних емкостей с образованием осколочного поля разрушаемых оболочек. [16]
 |
Определение направления индуктированной э. д. с. в прямолинейном проводнике, движущемся в магнитном поле. [17] |
Выявление непосредственной взаимозависимости между величинами / и В особенно затруднительно при образовании поля в неоднородных средах, что имеет место в реальных устройствах. [18]
В действительности всякое тело вызывает в окружающем пространстве изменения, ведет к образованию поля тяготения, представляющего собой особый вид материи ( ср. Взаимное притяжение тел вызывается их взаимодействием с полями тяготения. [19]
 |
Образование электронно-дырочного перехода. [20] |
Подобным же образом будет происходить диффузионное перемещение дырок из дырочного полупроводника в электронный с образованием поля в приконтактном слое дырочного полупроводника. [21]
При соприкосновении вещества и антивещества должно происходить их взаимное уничтожение ( аннигиляция) с образованием поля. Поэтому-то в наших условиях антивещество не существует. [22]
Известно большое число аварийных взрывов резервуаров с небольшим количеством сжиженного горючего газа, сопровождаемых образованием осколочного поля. [23]
 |
Схема определения вектора Бюргерса для краевой дислокации. а - схема плоскости решетки реального кристалла. б - схема плоскости решетки кристалла без дефектов. [24] |
Вблизи линии дислокации атомы смещены со своих мест и кристаллическая решетка искажена, что вызывает образование поля напряжений: выше линии дислокации решетка сжата, а ниже растянута. [25]
 |
Общий вид секционного мозаичного диспетчерского щита типа ЩДСМ-1. [26] |
Конструкция перфорированных плат обеспечивает возможность крепления в отверстиях прямоугольной формы съемных элементов, необходимых для образования фасадного поля щита и набора изображений мнемонических схем. [27]
Градиент примеси в области базы может приводить к появлению V и, следовательно, к образованию поля. Если наличие градиента примеси приводит к созданию высокой плотности свободных электронов в области базы у эмиттера, быстро спадающей, по существу, к собственному уровню у коллекторного перехода, то в области базы действительно возможно образование поля средней величины. Если концентрация примеси спадает при увеличении расстояния в направлении от эмиттера к коллектору, то V отрицательно и, следовательно, способствует образованию положи - iciubHuiu ускоряющего поля. [28]
Комбинация поперечного Я, и продольного Яг магнитных полей ( рис. 5) приводит к образованию поля, силовые линии которого направлены под углом Р ( tgp Ну / Н2) к продольному нолю. Электроны в зоне отклонения описывают вокруг силовых линий спирали, а поело выхода из зоны действия Ну продолжают движение по Нг. [29]
В полупроводниках, имеющих вырожденные зоны, более подвижные носители заряда играют большую роль в образовании поля Холла, чем в проводимости. [30]
Страницы: 1 2 3 4