Образование - поле
Cтраница 4
 |
Образование полей допусков и посадок. [46] |
Поля допусков в системе СЭВ образуют сочетанием одного из основных отклонений с допуском по одному из квалитетбв. ВЧ соответствии со способом образования поля допусков обозначают одной буквой или сочетанием двух букв основного отклонения и цифрой, указывающей номер квалитета. [47]
Поля допусков в ЕСДП СЭВ образуют сочетанием одного из основных отклонений с допуском по одному из квалитетов. В соответствии со способом образования поля допусков обозначают одной буквой или сочетанием двух букв основного отклонения и цифрой, указывающей номер квалитета. [48]
 |
Схемы возбуждения переменным и постоянным током муфтового исполнительного механизма с двухсторонним направлением вращения. [49] |
Муфта типа динамика в при-нципе является более быстродействующей, чем обычные муфты. В муфтах другого типа для образования поля достаточной силы, после того как приложено напряжение сигнала, требуется некоторое время. В данной муфте необходимое магнитное поле уже существует до того, как поступит сигнал, приводящий в действие муфту. Самоиндукция движущейся катушки обычно невелика и может быть сделана совсем незначительной при помощи компенсирующих катушек. Поэтому и время, требующееся для нарастания силы тока в катушке, также незначительно. [50]
В заключение отметим, что действие механизма динамо предполагает наличие первоначально хотя бы слабого затравочного поля. Был предложен ряд возможных механизмов образования затравочного поля, но их описание выходит за рамки тематики этой книги. [51]
Неизменность массы может наблюдаться только при тех реакциях, которые не сопровождаются выделением или поглощением энергии. Но при реакциях, сопровождающихся образованием поля, выделением тепла или света, происходит как бы рассеивание массы пли дефект массы. [52]
Неизменность массы может наблюдаться только при тех реакциях, которые не сопровождаются выделением или поглощением энергии. Но при реакциях, сопровождающихся образованием поля, выделением тепла или света, происходит как бы рассеивание массы или дефект массы. [53]
Выражения (1.6) и (1.24) позволяют заменить тангенциальные составляющие напряженностей электрического и магнитного полей, закон распределения которых по данной излучающей поверхности известен, фиктивными электрическими и магнитными токами. Эти токи эквивалентны с точки зрения, образования поля в окружающем пространстве тангенциальным составляющим Е и Я на излучающей поверхности. Введение эквивалентных поверхностных токов позволяет воспользоваться векторными запаздывающими потенциалами и тем самым упростить нахождение полей во внешнем пространстве. [54]
Посмотрим теперь на проблемы управления с технической стороны. Поля не типизированы в том смысле, что при образовании поля заранее не устанавливается его тип. С полем связывается только число позиций и их размер. [55]
В таких условиях даже материалы, которые обычно являются хрупкими, проявляют пластические свойства в локальных зонах. Кроме того, пластическое деформирование приповерхностного слоя материала приводит к образованию поля остаточных напряжений, растягивающие компоненты которого оказываются причиной возникновения определенной системы трещин. [56]
Страницы: 1 2 3 4