Образование - запорный слой
Cтраница 1
Образование запорного слоя связано с электронными процессами; все же при переходе от состояния запирания к состоянию проводимости и наоборот иногда имеют место инерционные явления. Пропустим, как это показано на рис. 11 - 19, импульс тока через инерционный диод в пропускном направлении и проследим за возникающим на диоде напряжением. Мы получим показанную на рис. 11 - 19 справа кривую. [2]
Образование запорного слоя может быть исключено при применении материала керна, не реагирующего с оксидом, например электролитического никеля. Такие катоды плохо активируются, и для устранения этого недостатка в оксидное покрытие вводят мелкозернистые порошки, например из тория. [3]
Естественно, образование запорного слоя у поверхности полупроводника не обязательно должно определяться разностью работ выхода полупроводника и металла. В этом случае поверхностный барьер не зависит от природы металла, находящегося в контакте с полупроводником. [4]
Затем на него наносили слой суспензии из карбонильного никеля для образования запорного слоя и электрод вторично спекался. [5]
Определенная пористость и деформируемость контейнера необходимы для равномерного заполнения всей полости между пуансонами, равномерного нагружения пуансонов и образования оптимального запорного слоя. [6]
 |
Вольтамперная характеристика контакта полупроводника с металлом для тонкого ( / и толстого ( 2 запорных слоев. [7] |
На рис. 8.10 кривой / показан график этой характеристики, из которого видно, что контакт полупроводника с металлом, приводящий к образованию запорного слоя, обладает практически односторонней проводимостью: при одной и той же величине приложенного напряжения ток в прямом направлении во много раз выше тока в обратном направлении. В этом состоит выпрямляющее свойство такого контакта. [8]
Однако в последнее время большинство исследователей, работающих в области полупроводниковой техники, склоняется к мнению, что во всех технических выпрямителях решающим является образование запорного слоя вблизи границы между электронным и дырочным полупроводниками. Эта мысль была высказана Б. И. Давыдовым еще в 1938 г. С этой точки зрения эмпирически установленные строгие требования к составу электродов выпрямителей и сложная технология их производства имеют своей целью только получение запорного слоя между полупроводниками с разными типами проводимости, сохраняющего свои свойства в течение эксплуатации выпрямителя. Это не означает, конечно, что невозможно выпрямление на контакте металл - полупроводник, рассмотренное в начале настоящего параграфа. [9]
В импульсном режиме существенным оказывается материал подложки. Это объясняют образованием плохо-проводящего запорного слоя на границе подложка-оксид. [11]
Электронная проводимость при небольшой толщине пленки обеспечивает протекание электрохимических процессов на границе раздела окисел - электролит. Вследствие небольшой электронной проводимости при дальнейшем росте толщины окисной пленки происходит образование запорного слоя с высоким удельным электрическим сопротивлением, резко ограничивающим плотность тока титанового анода при данном значении потенциала. [12]
Здесь, в сущности, уже не будет электронно-дырочных переходов у эмиттера и коллектора, а образуются переходы металл - полупроводник. На поверхности полупроводника располагаются электроны, благодаря чему создается объемный отрицательный заряд, отталкивающий электроны, находящиеся внутри кристалла, и вызывается образование запорного слоя. [13]
 |
Аппарат для нанесения селена на алюминиевые шайбы испарением в вакууме ( Heraeus, Ханау, ФРГ. также 10 - 212В. [14] |
Полученные напылением осадки аморфного селена переводят в кристаллическое состояние, для чего их отжигают на воздухе сначала 20 мин при 140 С, а после охлаждения - 4 ч при 217 С. Затем на слой селена напыляют сплав Bi Sn Cd ( 53 / 26 / 21), служащий вторым электродом, и, наконец, подвергают шайбу электрической обработке для образования запорного слоя. [15]
Страницы: 1 2