Образование - запорный слой
Cтраница 2
В случае монокристалла вещества, имеющего почти теоретическую плотность, отклонение от стехиометрии достигается обычно с трудом. Если не производилось обработки при температурах значительно выше температуры Таммана в течение относительно длительного времени, то имеется вероятность, что равновесие не будет достигнуто и общий результат явится поверхностным эффектом, возможно, с образованием запорного слоя. [16]
Эмиссионные свойства катодов могут в процессе работы ламп ухудшаться в результате ряда физических процессов, влияющих на величину концентрации свободного бария в оксидном слое. Такими процессами могут быть испарение бария, окисление бария газами, выделяющимися при работе лампы в результате разложения окислов и других химических соединений, имеющихся на поверхностях деталей лампы, процессы в слое оксида и на керне, которые могут приводить к образованию запорного слоя на границе керн - оксид. [17]
Экспериментальное исследование эффекта выпрямления было выполнено А. Ф. Иоффе совместно с А. В. Иоффе в серии работ 30 - х годов, продолженных, впрочем, и после войны. На основе этих исследований тогда же Б. И. Давыдовым ( частично совместно с Д. И. Блохинцевым) была развита теория выпрямления на контакте двух полупроводников с разным значением удельного сопротивления, а также и на контакте металл-полупроводник. При этом из теории Давыдова непосредственно следовало образование запорного слоя - слоя с повышенным значением сопротивления. [18]
 |
Схема образования запорного слоя в полупроводниковом конденсаторе. [19] |
В настоящее время для изготовления полупроводниковых конденсаторов применяют кремний или германий, причем первый из них значительно чаще. Для создания в кремнии проводимости типа п ( электронной) используется введение таких примесей, как фосфор, сурьма или мышьяк, для создания проводимости типа р ( дырочной) - бор, алюминий или индий. На границе областей с разной проводимостью возникает так называемый р - n - переход, обусловливающий образование запорного слоя при соответствующей полярности приложенного напряжения. [20]
Страницы: 1 2