Образование - новый слой
Cтраница 1
Образование нового слоя на грани кристалла ведет к большему увеличению поверхности ( а соответственно, и поверхностной энергии), чем рост недостроенного слоя. [1]
 |
Модель недостроенной грани кристалла. [2] |
После этого рост кристалла затрудняется, так как образование нового слоя - событие менее вероятное. В любом месте на завершенной плоскости атом будет связан с небольшим числом атомов кристалла. Вероятность того, что эта слабая связь будет нарушена тепловым движением, велика, поэтому атом не может закрепиться на кристалле. [3]
 |
Положения атома на растущей грани. [4] |
Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25 - 50 % совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при малых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. [5]
 |
Положения атома на растущей грани. [6] |
Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25 - 50 % совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при малых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кинетике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дислокационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реальном кристалле и выходящие на растущую поверхность, обеспечивают наличие готовых ступенек. Частицы, адсорбированные поверхностью, свободно по ней перемещаются и, наконец, присоединяются к имеющемуся дислокационному выступу - ступеньке. В процессе кристаллизации ступеньки не зарастают, а сохраняются в новых слоях. Поэтому вся кинетика роста определяется движением ступенек и нет необходимости в появлении новых двумерных зародышей. При таком механизме роста полностью заполненных плоскостей нет, присоединение частиц происходит по спирали. Поэтому рост такой поверхности происходит во многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким, а шероховатым. [7]
Это соотношение определяет величину двухмерного кристаллика, который может служить в качестве зародыша для образования нового слоя на данной грани. [8]
 |
Схема прибора для исследования диффузии и силы тока в растворе и в амальгаме. [9] |
Процесс разряда ионов серебра на серебряном электроде, рассмотренный выше, приводит лишь к образованию нового слоя серебра и не меняет электрохимическую природу электрода. [10]
Удаление окисной пленки следует производить перед напылением, так как длительное хранение очищенной фольги приводит к образованию нового слоя окислов. [11]
Состояние ( чистота) фильтрующей сетки влияет а работу фильтра, поскольку остатки массы а сетке препятствуют образованию нового слоя массы а барабане. Для непрерывной очистки сетки необходимо обеспечить постоянную работу юпрысковой трубы с расходам воды 63 - 160 л / мин на 1 м длины барабана для подвижной трубы и 200 л / мин для неподвижной. [12]
 |
Зависимость скорости роста кристаллов хлористого калия от величины пересыщения раствора при температуре 303 К. [13] |
Действие первого фактора проявляется в значительном увеличении числа столкновений кристаллов, в связи с чем наблюдаемая скорость увеличения размеров кристаллов может быть как непосредственным следствием их срастания, так и следствием того, что образование нового слоя на кристаллах инициируется не только возникновением двумерных зародышей, но и контактом мелких кристаллов с гранью. Влиянием содержания твердой фазы на скорость увеличения размеров кристаллов может быть объяснено и отсутствие пропорциональности между временем пребывания суспензии в кристаллизаторе и средним размером кристаллов при постоянной величине пересыщения, поскольку постоянство пересыщения при увеличении длительности времени пребывания обусловлено уменьшением выхода продукта из единицы объема раствора. [14]
Установлено, что процесс образования обмазки протекает в два этапа. Первый этап - налипание клинкера на рабочую поверхность огнеупора, образование нового слоя обмазки, равного по толщине среднему диаметру гранулы клинкера, второй этап - увеличение толщины обмазки, т.е. дальнейшее налипание клинкера на уже образовавшийся ранее слой обмазки. Первый этап образования обмазки определяется составом и структурой огнеупора, температурой на контакте огнеупор - клинкер и практически не зависит от химического состава портлащщементного клинкера. Второй этап образования обмазки определяется исключительно свойствами обжигаемого материала и температурными условиями. [15]
Страницы: 1 2 3