Образование - комплексное соединение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Молоко вдвойне смешней, если после огурцов. Законы Мерфи (еще...)

Образование - комплексное соединение

Cтраница 3


Образование комплексных соединений в процессе осаждения во многих случаях нежелательно, так как приводит к увеличению растворимости осадков.  [31]

Образование комплексных соединений часто используют в косвенных титриметрических методах.  [32]

Образование комплексных соединений происходит в широком интервале рН 5.0 - 12.5. В случае реакции с ионами меди в зависимости от рН раствора образуется два вида комплексов. Согласно расчетам, процесс комплексообразования сопровождается выделением 2 - х ионов водорода.  [33]

Образование комплексных соединений не ограничивается алифатическими эфирами.  [34]

Образование комплексных соединений может быть обнаружено по изменению реакционной способности компонентов системы, которое, в свою очередь, определяется многими методами, в том числе установлением скорости реакции в зависимости от состава.  [35]

Образование комплексного соединения из простых веществ обусловлено уменьшением изобарного потенциала в процессе комплексообразования.  [36]

Образование комплексных соединений участниками окислительно-восстановительных реакций существенно влияет на их окислительно-восстановительные свойства. Известна роль соляной кислоты при окислении золота и платины азотной кислотой. Образование комплексных соединений ионами металлов повышает восстановительные свойства металлов и уменьшает окислительные свойства ионов металла.  [37]

Образование комплексных соединений с донорно-акцепторной связью характерно также для элементов третьей группы периодической системы - бора и алюминия, имеющих одну незаполненную / 7-орбиту. Широко известны в химии, например, комплексные соединения фтористого бора и хлористого аммония.  [38]

Образование комплексных соединений происходит за счет неподеленной электронной пары одного из соединяющихся атомов. Это донорно-акцепторная, или координационная, связь.  [39]

Образование комплексных соединений с комплексоном и катионами, встречающихся в двух формах валентности, обыкновенно сопровождается соответствующим снижением окислительно-восстановительного потенциала первоначальной системы. Это свойство можно применить для аналитических целей двумя способами: 1) для оксидиметрического определения катионов, которые при нормальных обстоятельствах с трудом переходят в высшую форму валентности, например, проводя окисление двухвалентного кобальта до трехвалентного в кислой среде; 2) для усиления восстановительных свойств различных восстановителей. Раствор сульфата железа ( II) в присутствии комплексона очень легко восстанавливает различные катионы дэ металла. Так как определения эти представляют интерес главным образом с теоретической точки зрения, мы даем описание некоторых из них только в общих чертах.  [40]

Образование комплексного соединения может быть установлено качественными реакциями и др. При образовании комплекса ионы, находящиеся в растворе, как было указано выше, не дают уже типичных для них качественных реакций. Числовые значения констант нестойкости некоторых комплексных ионов приведены в приложении 5, стр.  [41]

Образование комплексных соединений дивинила с солями одновалентной меди используют для отделения дивинила от остальных С4 - угле-водородов. В 1935 г. найдено, что дивинил очень легко количественно выделить из смеси с н-бутиленами с помощью поглощения аммиачным раствором полухлористон меди.  [42]

Образование комплексного соединения иллюстрируют следующие примеры.  [43]

Образование комплексных соединений 1 2-цикло-гександиаминтетрауксусной кислоты протекает достаточно медленно [102], ято, по-видимому, связано со стереохимией комплексона.  [44]

Образование комплексных соединений с комплексонами сопровождается значительным сдвигом потенциала полуволны при их: полярографическом восстановлении и соответствующими изменениями окислительно-восстановительных потенциалов различных систем, что позволяет в свою очередь проводить совершенно новые полярографические и потенциометрические определения.  [45]



Страницы:      1    2    3    4