Cтраница 3
Скачкообразное изменение гена под действием ионизирующего излучения имеет квантовую природу, начинается с образования неравновесных энергизованных состояний гена и сравнительно редко приводит к наследуемым изменениям ( мутациям) в атомной структуре гена. [31]
Заметим, что не исключена возможность обрыва цепи и в самом процессе инициирования без образования овободнорадикаль-пого состояния за счет внутримолекулярных перегруппировок. Однако многочисленные ( случаи обнаружения методом ЭПР при механокрекинге одного типа свободных радикалов - хотя при разрыве цепи следовало бы ожидать двух типов радикалов - могут свидетельствовать об образовании свободнорадикального состояния до обрыва. Нао-борот, обнаружение двух и более типов радикалов может быть в этом случае объяснено изомеризацией и другими превращениями радикалов, возникших при крекинге. [32]
С помощью измерений магнитной восприимчивости в статическом поле было впервые установлено увеличение парамагнетизма при образовании фосфоресцентного состояния. Льюис, Калвин и Каша [98, 99] показали, что флуоресцеин при интенсивном облучении в стеклообразной борной кислоте становится парамагнитным и фосфоресцирует. [33]
В пиридине в присутствии каталитических количеств пиперидина ( реакция Кневенагеля) при этом следует допустить образование торео-переходного состояния, аналогичного (6.53), в котором обе участвующие в фрагментации группы, COOQ и ОН, занимают необходимую трансоидную конформацию. [34]
Принципиальным для объяснения сигмоидальной кинетики является предположение о кооперативном взаимодействии нескольких частиц, приводящих к образованию реакционношособного состояния активного центра. Для этого необходимо предположить наличие некоего механизма влияния частиц друг на друга. Простейшим является предположение о существовании конформеров фермента, обладающих разными свойствами в зависимости от наличия или отсутствия молекулы субстрата на связывающем центре. [35]
Согласно этому расчету, локально возбужденная конфигурация и конфигурация с переносом заряда вносят приблизительно равные вклады в образование состояния Sj комплекса TCNB - толуол, что не позволяет объяснить наблюдаемые спектры поглощения из возбужденного состояния. [36]
В то же время запрещенный по спину 5 - - 7-переход приводит к понижению энергии и к образованию метастабилыюго триилетпого состояния Т1 с большим временем жизни ( - 10 - 7 - тг-10 сек. [37]
Наблюдаемые поверхностные состояния считаются собственными при высоком качестве обработки поверхности, когда можно полагать, что все причины образования несобственных состояний устранены. Ферми на поверхности ( 100) GaAs вблизи середины запрещенной зоны под влиянием собственных состояний не всегда справедливо. Это явление может быть вызвано, скорее всего, внешними факторами, а не собственными свойствами поверхности. [38]
С учетом этого процесса они получили оценку, по которой примерно половина актов рекомбинации N N приводит к образованию состояния В, однако при давлениях выше 1 мм рт. ст. дезактивация состояния В происходит быстрее излучения. Кэмпбелл и Траш пришли к выводу, что заселенность состояния 52, имеющего малую глубину потенциальной ямы, даже если оно находится в равновесии с процессом N N, недостаточна для обеспечения высокой скорости - образования состояния В. [39]
Закалка заключается в фиксации при темп-ре закалочной среды состояния, стабильного при более высокой темп-ре, или в образовании нового метаста-билыгого состояния. [40]
Неизбежность перехода металла из жидкого состояния в твердое объясняется законами термодинамики, поскольку все самопроизвольные процессы протекают в сторону образования состояния с наименьшим запасом свободной энергии. [41]
Процесс фотогенерации может быть разделен на два этапа [49]: ( а) поглощение кванта света, приводящее к образованию автоионизуюшегося состояния, и ( б) ионизация этого состояния или его дезактивация в основное состояние. Этот тип процессов подобен механизму ионизации антрацена ( см. разд. Применение к процессу генерации носителей онзаге-ровской теории парной рекомбинации ( разд. Экспериментальные значения отношений наклона к длине отрезка, отсекаемого на оси ординат ( см. разд. [42]
Приведенный здесь механизм указывает на три ступени, требующие расхода энергии: а) разделение пары электронов с образованием бирадикала ( образование три-плетного состояния); б) процессы отдачи и захвата электрона, происходящие на электродах ( ионизация); в) перенос электрона между бирадикалом и ион-радика лом. [43]
При конечных температурах картина существенно не меняется, если только за счет теплового возбуждения не происходит частичного заселения пустых зон и образования незаполненных состояний в заполненных зонах. Поскольку раньше достигается температура плавления, то при таких широких запрещенных зонах вещество остается диэлектриком и при высоких температурах. Тогда уже при комнатных температурах имеется заметное заселение верхней, незаполненной при 7 0 зоны ( зона проводимости) и возникновение незаполненных состояний в полностью заполненной при 7 0 так называемой валентной зоне. Это случай полупроводников, которые только количественно - шириной запрещенной зоны - отличаются от диэлектриков. [44]
Восстановление клиньев. а - замер щели мерными плитками. б - установка клина для наращивания поверхности. [45] |