Образование - хвост
Cтраница 3
Эти данные четко показывают, что основная причина образования хвостов у производных антрахинона - водородные связи. Это явление общее и для других соединений, и превращение в производные часто используется для соединений с аминогруппами, чтобы сделать их более пригодными для ГЖХ. [32]
С древнейших времен ученые наблюдали и изучали явление образования длинных светящихся хвостов за метеорами. Такой хвост является одним из видов следов за телом при гиперзвуко вых скоростях, который образован уносимым веществом метеора. [33]
Адсорбция, которая проявляется, например, в образовании хвостов, может быть причиной ошибок не только в идентификации, но и в количественном определении анализируемых веществ. Шольц / 21 / установил, что время удерживания хроматографируемых соединений может изменяться с изменением величины анализируемого образца и что это яв - ление связано с адсорбцией компонентов на твердом носителе. На рис. 3.1 показана зависимость времени удерживания от величины анализируемой пробы. [34]
Адсорбция, которая проявляется, например, в образовании хвостов, может быть причиной ошибок не только в идентификации, но и в количественном определенииtанализируемых веществ. Шольц / 21 / установил, что время удерживания хроматографируемых соединений может изменяться с изменением величины анализируемого образца и что это явление связано с адсорбцией компонентов на твердом носителе. На рис. 3.1 показана зависимость времени удерживания от величины анализируемой пробы. [35]
Выбор твердого носителя для газовой хроматографии, позволяющего устранить образование хвостов на хромато грамме. [36]
Модифицирование поверхности капилляров проводилось прежде всего в целях уменьшения образования хвостов у пиков на хроматограмме. Вслед за этим были созданы адсорбционные капиллярные колонки. [37]
Правда, в первом случае отмечают некоторую расплывчатость пятен и образование хвостов - во втором. [38]
 |
Условное обозначение транзистора IGBT.| Характерный хвост тока коллектора, появляющийся при запирании транзистора IGBT. [39] |
База p - n - р транзистора, отвечающего за образование хвоста, сделана недоступной извне, поэтому невозможно применить какие-либо индивидуальные схемотехнические методы для снижения времени переключения и уменьшения потерь. Борьба с нежелательными эффектами идет на этапе изготовления транзисторов. [40]
Адсорбция на активной поверхности твердого носителя является фактором, обуславливающим образование хвостов пиков. Адсорбция на огнеупорном кирпиче более заметна, чем на целите. Она менее очевидна в случае неполярных веществ, больших относительных количеств жидкой фазы и применения полярных жидких фаз, насыщающих активные участки поверхности адсорбента. Аналогичное улучшение достигается обработкой силикатного носителя любым из существующих промышленных препаратов, придающих свойство водонепроницаемости стеклянным изделиям. Кислотная или основная природа носителя принимается во внимание, когда хрома-тографируются реакционноспособные вещества. Во многих случаях наблюдаются также реакции изомеризации и молекулярного распада, катализируемые носителем. [41]
Особое значение для получения на хроматограмме симметричных пиков воды без резко выраженного образования хвостов имеют характеристики твердой фазы, в частности, вещества-носителя, которое должно обладать достаточно сильными водоотталкивающими свойствами. [42]
 |
Физико-хроматографические характеристики инертоиа G и хромосорба G.| Порограммы носителей инертон AW-DMCS и хромосорб G. [43] |
Оба фактора обуславливают размывание зон разделяемых веществ, расширение пиков и образование хвостов. Хороший носитель должен иметь мало микро-пор, а адсорбционная активность его поверхности должна быть как можно меньшей. [44]
При значительном эффекте вытеснения уменьшается размытость адсорбционных зон вещества ( отсутствует образование хвостов) и границы между зонами становятся более резкими, что способствует повышению четкости хроматографического разделения. В противном случае зоны частично накладываются одна на другую, и - четкого разделения смеси не происходит. [45]
Страницы: 1 2 3 4