Фотохимическое образование

Cтраница 2

В некоторых случаях скорость превращения по сравнению с фотохимическим образованием V из ксантопа и тиоксаптена довольно заметна. В табл. 3 в скобках указаны карбонильные соединения, примененные для дегидродимеризации. [16]

Для объяснения этого различия можно предположить, что при фотохимическом образовании кислорода внутри клетки должно создаться высокое внутреннее давление, прежде чем какое-либо количество газа сможет выделиться в атмосферу. Поэтому химическая и фотохимическая потери адаптации могут отвечать одному и тому же внутреннему содержанию кислорода в хлоро-пластах. Гаффрон, однако, полагает, что опыты с кислородным электродом, а также наблюдения со светящимися бактериями и флуоресцентными красителями показывают, что кислород появляется в окружающей среде через 0 01 сек. [17]

Наоборот с азотом в присутствии паров ртути на свету ( фотохимическое образование аммиака) дейтерий реагирует гораздо быстрее обычного водорода. Эти различия однако до сих пор не смогли быть использованы для разделения. [18]

Были получены интересные данные о влиянии механических напряжений на скорость фотохимического образования радикалов в капроне по. Оказалось, что механическая активация значительно, почти на три порядка, увеличивает квантовый выход реакции распада цепей и образования радикалов. [19]

Помимо окисления важную роль в химии угля может, играть процесс фотохимического образования перекисей. [20]

Энергия световых квантов ( рассчитано на 6025 - 1023 квантов. [21]

Невольно возникает вопрос, чем объясняется такая большая энергия, затрачиваемая при фотохимическом образовании озона. [22]

Как уже указывалось, убыль кислородного поглощения у пурпурных бактерий на свету Накамура считает доказательством фотохимического образования кислорода. Однако есть более вероятное объяснение: если скорости фотосинтеза и дыхания лимитированы наличием водорода, доставляемого одной и той же энзиматической системой, то всякое возрастание фотосинтеза будет подавлять дыхание. Тот факт, что эти организмы ни при каких обстоятельствах не переходят от поглощения кислорода к его выделению, хорошо согласуется с таким объяснением, тогда как он трудно объясним, если фотосинтез и дыхание независимы, как у высших растений. Каждая жирная кислота разлагается пурпурными бактериями с особой, характерной для нее, скоростью, одинаковой и для дыхания и для фотосинтеза; в случае смеси кислот их суммарная скорость разложения аддитивна. Это доказывает, что для каждой кислоты существует специфический энзнм. [23]

Схема замещения ВЛ напряжением ПО кв.| Векторные диаграммы напряжений и токов ВЛ. [24]

Приведенный выше синтез производных карболина и иобирина представляет определенный научный интерес для изучения возможных путей фотохимического образования алкалоидов типа гармина и иохимбина из триптамина. [25]

Принципиальная схема установки остановленной струи.| Принципиальная схема установки импульсного фотолиза. [26]

Мертвое время метода определяется двумя параметрами: 1) временем импульсной вспышки и 2) временем фотохимического образования соответствующего компонента ферментативной реакции. Ксеноновая импульсная техника позволяет получить мощные импульсы света продолжительностью 10 - 100 микросекунд. Время вспышки может быть уменьшено без уменьшения мощности при использовании лазерной техники. [27]

В 1913 г. Боденштейном [359] впервые было выдвинуто представление о цепном характере процесса для объяснения чрезвычайно высокого квантового выхода при фотохимическом образовании хлористого водорода. Кроме того, в этой же работе автор предложил метод стационарных концентраций, который позволил выразить концентрацию активных частиц через концентрацию исходных реагентов, исключив первые тем самым из уравнений скорости процесса. Это значительно упрощало расчет скорости реакции. Однако представление Боденштейна, что активным промежуточным продуктом в реакции является электрон, не было подтверждено экспериментально. [28]

Для объяснения поведения полупроводника при гамма-облучении Веселовский сделал предположение о наличии механизма, аналогичного принятому для действия окиси цинка при фотохимическом образовании перекиси водорода. Он считает, что гамма-энергия в значительной степени превращается в энергию электронов полупроводника. Он охарактеризовал это явление коэффициентом умножения, который определяет увеличение числа возбужденных электронов в полупроводнике в расчете на поглощенный гамма-квант. Веселовский рассчитал, что в случае окиси цинка энергия, поглощенная при гамма-излучении из Со60 ( 1 23 Мэв ], должна соответствовать коэффициенту умножения 4 - Ю5, так как возбуждение электрона от валентной зоны до зоны проводимости требует 3 эв. Эта величина соответствует полосе поглощения окиси цинка, расположенной приблизительно при 3850 А. [29]

Для объяснения поведения полупроводника при гамма-облучении Веселовский сделал предположение о наличии механизма, аналогичного принятому для действия окиси цинка при фотохимическом образовании перекиси водорода. Он считает, что гамма-энергия в значительной степени превращается в энергию электронов полупроводника. Он охарактеризовал это явление коэффициентом умножения, который определяет увеличение числа возбужденных электронов в полупроводнике в расчете на поглощенный гамма-квант. Веселовский рассчитал, что в случае окиси цинка энергия, поглощенная при гамма-излучении из Со60 ( 1 23 Мэв), должна соответствовать коэффициенту умножения 4 - Ю5, так как возбуждение электрона от валентной зоны до зоны проводимости требует 3 эв. Эта величина соответствует полосе поглощения окиси цинка, расположенной приблизительно при 3850 А. [30]

Страницы: 1 2 3 4