Cтраница 3
Иногда высказывается мнение, что верхний предел ( максимальный размер элементов) нанокристаллического состояния должен быть связан с каким-либо характерным физическим параметром - длиной свободного пробега носителя, диаметром петли Франка-Рида для скольжения дислокаций, размером домена или доменной стенки и, наконец, длиной волны электрона де Бройля. Однако диапазон изменения этих характерных физических параметров, определяющих электрические, магнитные, деформационные и другие свойства применительно к разнообразным твердотельным объектам, весьма широк и установить какой-либо единый верхний предел не представляется возможным. [31]
Подробно описываются аппарат объектной привязки координат и способы построения двухмерных геометрических объектов. Особое внимание уделено приемам штриховки и простановке размеров, инструментам редактирования рисунков. Рассказывается о средствах формирования трехмерных твердотельных объектов, их редактировании и визуализации. Рассмотрена технология разработки параметрически управляемой геометрической модели. [32]
Далее аналогично создается внутренняя полость выступа. В данном случае создаются и обрабатываются сразу несколько твердотельных объектов ( выступы и полости), а не по одному, как указано выше. Конечно, при желании пользователь может несколько изменить порядок работы с данными объектами. [33]
Можно копировать фани, в том числе и отверстия. AutoCAD при этом создает области ( примитивы типа region) или тела вне фани. Но при копировании сложной фани, например отверстия, которая может состоять из нескольких областей, их не удастся потом включить в состав твердотельного объекта. [34]
Можно сопрягать пары отрезков, линейные ( но не дуговые) сегменты полилиний, прямые, лучи, круги, дуги и реальные ( то есть не многоугольные) эллипсы. Сопряжение отрезков, прямых и лучей допускается выполнять даже для параллельных объектов. Сопряжения в вершинах полилинии производятся друг за другом по одному. Сопрягаются отрезки и полилинии в любых комбинациях, а также все твердотельные объекты. [35]
В 1996 году А.Н. Ораевский [28], а также Л.А. Рив-лин и А.А. Задерновский [29] теоретически исследовали возможность и оптимальные условия лазерного охлаждения полупроводников. Один из таких аспектов связан с лазерным охлаждением активных элементов твердотельных лазеров. Другой аспект посвящен охлаждению носителей информации оптических эхо-процессоров. Из содержания данной книги следует, что один из путей организации самоохлаждения твердотельного объекта связан с его легированием охлаждающими примесными центрами типа трехвалентного иттербия. Особое внимание уделено поиску оптимальных условий функционирования твердотельных оптических эхо-процессоров. Многие вопросы такой оптимизации были решены ранее в радиодиапазоне путем применения спин-локинга и многоимпульсных последовательностей, сужающих ди-польную ширину спектральных линий. [36]