Наиболее простое объяснение

Cтраница 1

Наиболее простое объяснение этого явления заключается в том, что в случае разветвления цепи имеется большее число возможных способов циклизации. [1]

Наиболее простое объяснение этого явления следует из рассмотрения и анализа пороговых критериев для малых трещин, представ ленных на рис. 51, б, где показано, что малые трещины могут распространяться при значениях А / С меньше A / Cf /, определенного для крупных трещин. [2]

Зависимость логарифма линейной скорости кристаллизации полиоксиэтилена от Тпп / Т & Т. Различные участки кривых соответствуют различному числу складок в кристалле, что указано у кривых. [3]

Наиболее простое объяснение этих экспериментальных результатов состоит в том, что удельная свободная энергия поверхностей складывания в выражении для критического размера зародыша [ см. уравнения ( 68) и ( 82) гл. Это не согласуется с заключением, вытекающим из исследования температур плавления, согласно которому поведение при плавлении кристаллов с вытянутыми и сложенными цепями таково, что их свободные поверхностные энергии как бы близки между собой. Таким образом, более высокое значение поверхностной энергии может являться каким-то эффективным параметром в выражении для скорости роста. [4]

Наиболее простое объяснение вытекает из признания связи энтропии с неупорядоченностью движения молекул. Действительно, энтропию можно трактовать как меру неупорядоченности системы. При такой трактовке возрастание энтропии характеризует увеличение неупорядоченности системы. Выравнивание температур тел при теплообмене напоминает, что превратить порядок в беспорядок просто, но нелегко обратить этот процесс. Легко нарушить порядок, при котором сахар и соль лежат порознь в банках, смешав их вместе, но практически весьма сложно вернуть их к прежнему порядку. Точно так же легко превратить электрическую энергию в тепло, но практически невозможно превратить это же тепло обратно в прежнее количество электроэнергии. [5]

Избирательность сорбции окситетрациклина ( а и триэтилбензилам-мония ( б на макросетчатом сульфокатионите и сульфосефадексе. [6]

Наиболее простое объяснение возрастания энтропии при высокоизбирательной сорбции большей части ионов органических веществ состоит в гидрофобном взаимодействии органических нонов с ионитами. При этом разрушается организованная, квазикристаллическая структура воды, находящейся вблизи органических радикалов, что приводит к возрастанию числа микросостояний систем. Вероятно, для ряда систем такая интерпретация является справедливой. Например, в системе окситетрациклин-водород наблюдается резкое падение константы ионного обмена при замещении воды на метанол, этанол, бутанол или при введении доде-цилсульфата ( рис. 3), что, как известно, снижает гидрофобное взаимодействие в растворе. Однако при сорбции других ионов, таких, как новокаин, при переходе от водного раствора к метаноль-ному происходит возрастание отрицательного термодинамического потенциала и положительной энтропии ( табл. 3), несмотря на снижение гидрофобного эффекта. [7]

Наиболее простое объяснение низкого значения Еас состоит в том, что разупорядоченный материал в этих вытянутых образцах ЛПЭ работает в существенной мере параллельно с кристаллитами. [8]

Наиболее простое объяснение образования активных центров на поверхности твердых катализаторов заключается в наличии неровностей на их поверхности. Нетрудно догадаться, что атомы твердого вещества, расположенные в углублениях, энергетически более уравновешены по сравнению с атомами, находящимися на выступах шероховатой поверхности катализатора. На этих атомах, имеющих свободное силовое поле, в первую очередь происходит адсорбция реагирующих молекул. [9]

Наиболее простое объяснение физических свойств полупроводников может быть дано на основе представлений зонной теории твердого тела. При образовании кристалла полупроводника происходит расщепление в зону энергетических уровней валентных электронов и электронных уровней возбужденных состояний. Первая из этих зон ( /) возникает в результате расщепления низших энергетических уровней в атоме. Она заполняется валентными электронами в нормальном квантовом состоянии. В теории полупроводников эта зона называется валентной зоной или заполненной зоной. [10]

Наиболее простое объяснение небольшой скорости последней стадии заключается в том, что большие размеры б с - ( 3-метил - 2-бутил) борана препятствуют формированию промежуточного состояния, превращение которого ведет к образованию три - ( 3-метил - 2-бутил) бора. [11]

Объем продукции в час и реальная почасовая заработная плата. [12]

Наиболее простое объяснение высокого уровня реальной заработной платы в Америке состоит в том, что спрос на труд относительно выше предложения. [13]

Теоретически наиболее простым объяснением ускоренного замещения, происходящего как с перегруппировкой, так и без нее, может служить путь, согласно которому необходимо абстрагироваться от всех побочных процессов и предположить, что препятствующий резонансу барьер между первым и вторым ионами полностью устраняется. Тогда ионные структуры будут взаимодействовать, образуя нормальный ион, более стабильный, чем любая из этих структур, так называемый синартетический ион. Следовательно, имеется не только стабилизованный карбониевый ион, но также стабилизованное переходное состояние ионизации, и поэтому происходят или ускоренные мономолекулярные реакции без перегруппировки, или же ускоренные перегруппировки. Сказанное объясняется тем, что промежуточные состояния, электронные волновые функции которых могут быть приблизительно определены как среднее значение электронных волновых функций исходных и конечных продуктов, отражают устойчивые изменения, происходящие в исходных и конечных продуктах. [14]

Принцип выбора наиболее простого объяснения наблюдаемых фактов был сформулирован еще в средние века. Английский философ-номиналист Уильям Оккам ( 1300 - 1350 гг.) писал, что при построении понятий не следует без надобности приумножать сущности. К этой же мысли возвращается И. [15]

Страницы: 1 2 3