Кривое обыскривание
Cтраница 1
Кривые обыскривания этих образцов имеют незначительный наклон и форму, подобную форме других таких же кривых. [2]
Изучение кривых обыскривания позволяет в каждом конкретном случае подобрать наиболее подходящий режим работы искрового генератора. Для количественного анализа важно, чтобы интенсивность линии была одной и той же, независимо от того, в какой момент времени она измерена. [4]
Форма кривых обыскривания зависит от многих факторов, например от формы и размеров образца, его структуры. Анализ кривых обыскривания показывает, что равновесие в разряде устанавливается во времени, как правило, не превышающем ] мин. [5]
 |
Кривые обыскривания для линии Си 13247 ( с самопоглощением и для линии Си II 2247 ( свободной от самопоглощения. [6] |
Для количественного анализа кривые обыскривания имеют особенно важное значение, поскольку воспроизводимость значения А У зависит от периода возбуждения, выбранного для регистрации спектра. Как правило, выбирают горизонтальный участок кривой обыскривания, обеспечивающий наилучшую воспроизводимость. [7]
На рис. 4.12 показаны кривые обыскривания для цинка и магния, полученные с электродами из чистых металлов при комнатной ( кривая а) и повышенной ( кривая б) температурах. Обе кривые существенно отличаются друг от друга. Можно видеть, что если возбуждение спектров электродов при комнатной температуре прервать через 270 с, затем нагреть электроды и продолжить возбуждение, то кривая обыскривания в течение 70 с поднимается и переходит в кривую, соответствующую повышенной температуре электродов. [8]
 |
Общий принцип определения времени изосек-компенсации. а - кривые обыскривания. б - аналитические прямые линии. [9] |
Часто оказывается, что кривые обыскривания образца А, свободного от мешающего элемента, и образца В, содержащего этот элемент, не пересекаются друг с другом в течение практически используемого периода обыскривания. [10]
 |
Кривые роста. [11] |
На рис. 30.14 приведены типичные кривые обыскривания для конструкционной стали. Как видно из рисунка, первые 40 с интенсивность спектральных линий сильно изменяется. Затем процессы поступления вещества в аналитический промежуток стабилизируются. На этом кончается время предварительного обыскривания и наступает время экспонирования. [12]
При соответствующей скорости распыления кривые обыскривания элементов будут иметь горизонтальный участок в течение длительного времени, будет отсутствовать фракционное испарение или обогащение и, наконец, спектр материала электродов будет ослаблен по отношению к спектру анализируемого раствора. [13]
Для установления режима спектро-графирования в каждой конкретной методике спектрального анализа должны быть построены и изучены кривые обыскривания или обжига. Для их построения фотографируют спектр пробы или эталона много раз с передвижением кассеты ( не гася источника света) через равные, небольшие промежутки времени. [14]
На рис. 4.14 представлены градуировочная кривая для марганца ( а), построенная по четырем образцам углеродистой стали ( А-D) при длительности обжига 25 и 60 с, и кривые обыскривания для аналитической пары линий ( б) и отдельных линий этой пары ( виг), полученные на одних и тех же образцах. Содержание марганца и углерода в этих образцах указано на кривых обыскривания для аналитической пары линий. Эти данные очень важны для дальнейшего обсуждения. [15]
Страницы: 1 2 3