Огранение - кристалл
Cтраница 1
Огранение кристалла является следствием определенной симметрии его внутреннего строения. Отсюда следует, что на кристалле могут появляться лишь такие грани, которые отвечают данному классу или виду симметрии. [1]
Форма огранения кристалла является квазиравновесной, если среди характерной для нее совокупности граней не содержится полного комплекта граней другой формы огранения. В связи с тем, что зародышевые грани образуются вдоль ребер кристаллов, их возникновение можно рассматривать как образование двух параллельных ребер вместо одного. Благодаря этому затрата энергии на изменение формы огранения оказывается связанной с реберной энергией кристалла. [2]
 |
Гексагональная система горизонтальных кристаллографических осей. [3] |
В огранении кристаллов гексагональной системы преобладают формы: призмы гексагональные, дщщрамиды гексагональные, ромбоэдры и базопинакоид. [4]
 |
Гексагональная система горизонтальных кристаллографических осей тригональной ( а и гексагональной ( б спнгоннн. [5] |
В огранении кристаллов гексагональной системы преобладают следующие формы: гексагональные призмы и дипирамиды, ромбоэдры и базопинакоид. Структуры и облик кристаллов аналогичны таковым тетрагональной сингонии. [6]
 |
Параметры уравнения при различных температурах. [7] |
Все это доказывает огранение кристаллов молекулярно-гладкими гранями, так как в противном случае повышенной подвижностью должны обладать либо ионы разрыхленного адсорбционного монослоя А, количество кристаллизанта в котором меньше, чем в плотно-упакованном слое S, либо ионы слоев А и S, число которых больше, чем в плотноупакованном монослое. [8]
В кристаллографии равные элементы огранения кристалла при симметричных преобразованиях совмещаются. Многогранники, у которых все грани кристаллографически равны друг другу, называются простой формой. В идеальных условиях скорости роста граней одной простой формы равны. Простая форма - геометрический образ, который позволяет описать кристаллографический многогранник. [9]
На протяжении всего процесса огранения кристалла могут иметь место три случая: когда концентрация примеси в кристалле постепенно увеличивается, постепенно уменьшается и остается постоянной. При малых концентрациях примесей их распределение на поверхности и внутри кристалла статистически равномерно, при больших - они могут на поверхности растущего кристалла образовывать локальные кристаллические включения: смешанные кристаллы, ориентированные наросты и параллельные сростки. Если образуются смешанные кристаллы, значение имеет не только содержание изоморфной примеси, но и скорость кристаллизации. [10]
В кристаллографии равные элементы огранения кристалла при симметричных преобразованиях совмещаются. [11]
 |
Система кристаллографических осей. [12] |
Абсолютная величина их в огранении кристалла не имеет значения - на основании закона постоянства двугранных углов единичную грань можно перенести параллельно на любые расстояния. [13]
Оси симметрии, соединяющие одинаковые элементы огранения кристалла, называют биполярными в отличие от полярных осей, соединяющих различные элементы огранения. [14]
 |
Кристаллы пирита и кобальтина. [15] |
Страницы: 1 2 3 4