Огранение - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизненно важные бумаги всегда демонстрируют свою жизненную важность путем спонтанного перемещения с места, куда вы их положили на место, где вы их не сможете найти. Законы Мерфи (еще...)

Огранение - кристалл

Cтраница 2


Псевдоморфозы гетита по пириту часто сохраняют все детали огранения кристаллов пирита.  [16]

17 Парят я кобальтин. [17]

Псевдоморфозы лимонита по пириту часто сохраняют все детали огранения кристаллов пирита.  [18]

Совокупность условий ( 8) определяет множество возможных форм огранения кристалла. Однако е все они соответствуют термодинамически устойчивым состояниям системы.  [19]

Ускоренный массообмен мелких кристаллов с раствором, по-видимому, обусловлен огранением кристаллов такими гранями, у которых не только слой S, но и слой Г обладает заметной подвижностью ионов.  [20]

Вульфа 1F зависит от массы кристалла, является различной для разных форм огранения кристалла, но постоянна для всех граней, принадлежащих к данной форме огранения.  [21]

Лайнере и Сайгсвей [53] считают, что ростовые полосы являются результатом не только температурных флуктуации, но и огранения кристаллов, причем температурные флуктуации ответственны за тонкие слои роста, а широкие связаны с огранением. Уменьшение температурных флуктуации может быть достигнуто с помощью ослабления температурного градиента в расплаве, а также путем снижения уровня расплава в тигле. Следует отметить, что полностью устранить флуктуации температуры в расплаве при индукционном нагреве не представляется возможным вследствие сильной конвекции расплава из-за неравномерного нагрева тигля. Уменьшение температурных флуктуации, а следовательно и полосчатости кристаллов, может быть достигнуто с помощью нагрева 1игля в печи сопротивления. Однако в этом случае регулировка температуры в процессе выращивания сильно затруднена вследствие большой инерционности таких нагревателей.  [22]

Сказанное здесь относится к повторяющемуся шагу и является точным только для бесконечно большого кристалла, поскольку в проведенном анализе огранение кристалла во внимание не принималось.  [23]

Заметим, что присутствие в растворе посторонних веществ, особенно поверхностно активных, может сильно повлиять на процесс кристаллизации и характер огранения кристаллов.  [24]

Закон зон отражает то, что каждая грань кристалла ( как плоская сетка) определяется двумя непараллельными рядами узлов, которые в огранении кристалла представлены двумя пересекающимися ребрами. Каждое ребро определяет зону, являясь осью, следовательно, каждая грань кристалла принадлежит по крайней мере двум зонам. Часто этот закон формулируется так: грани в кристаллах располагаются зонами. Иными словами, в кристаллических многогранниках всегда имеются ребра, параллельные между собой. Это положение верно для всех закрытых кристаллических многогранников, кроме тетраэдров.  [25]

Тот факт, что основным объектом изучения долгое время являлись лишь кристаллические катализаторы как таковые или нанесенные на какие-либо носители, для которых не существует практической возможности ни создавать заданный размер и форму огранения кристаллов, ни задавать концентрацию на них атомной фазы и других дефектов решетки, ни количественно учитывать эти факторы тв уже готовом катализаторе, - эта кристаллическая традиция в катализе на некотором этапе оказалась тормозящим фактором в развитии теории катализа.  [26]

Особое значение реберной энергии не сводится к тому, что в известном выражении для химического потенциала появляется некоторая поправка на свободную энергию ребер, - основным для теории является то, что она играет роль энергетического барьера, отделяющего различные формы огранения, благодаря чему свободная энергия проходит ряд минимумов - для различных форм огранения кристалла.  [27]

Выросшие в равновесных условиях К. Измерения огранения кристаллов - углов между гранями методами гониометрии и анализ соотношений между ними позволяют идентифицировать К.  [28]

29 Система кристаллографических осей. [29]

Единичная грань ( ее отрезки на координатных осях принимаются за меру измерения отрезков - параметров, которые создают другие грани в этом кристалле) должна быть хорошо выраженной, ее параметры: ао: bo: сь. Абсолютная величина их в огранении кристалла не имеет значения на основании закона постоянства двугранных узлов, единичную грань можно перенести параллельно на любые расстояния. Абсолютные значения параметров координатных осей геометрическими методами определить невозможно. В настоящее время их довольно точно определяют с помощью рентгеновских лучей.  [30]



Страницы:      1    2    3    4