Однородность - пленка
Cтраница 1
Однородность пленок по толщине требует одинаковой температуры поверхности подложки. [1]
Однородность пленки по толщине зависит от площади электродов, расстояния между ними и от величины приложенного напряжения. На свойства пленки влияет положение подложки по отношению к различным зонам тлеющего разряда. Химические методы осаждения в основном используют для получения непроводящих магнитных пленок - ферритовых и гранатовых. Пленки, изготовленные этими методами, изотропны независимо от наличия магнитного поля и имеют петлю гистерезиса с высокой степенью прямоугольное. [2]
 |
Приспособление для подгонки танталовых пленок резисторов анодированием. [3] |
Однородность пленки тантала, получаемой катодным распылением, позволяет применять групповой метод подгонки всех резисторов на подложке. Однако и этот способ не обеспечивает однородности окисления резисторов. [4]
Под однородностью пленок в данном случае понимается равномерность пленки по толщине по всей поверхности детали. [5]
Для повышения эффективности осаждения и улучшения однородности пленки подложка должна располагаться достаточно близко к мишени, однако не настолько, чтобы тепловое излучение мишени заметно сказывалось на температуре подложки. [6]
 |
Схема установки для испарения металлов в вакууме. [7] |
При покрытии линз, когда особенно важна однородность пленки, их обычно укрепляют на держателе сферической формы с одним испарителем, расположенным вблизи центра радиуса кривизны. [8]
Ясно, что разноречивость данных о степени однородности пленок по толщине обусловлена прежде всего конструкционными особенностями реакторов и неодинаковыми параметрами процесса. [9]
Стадия набухания ( желатини-зации) облегчает процесс монолитизации композиции на вальцах и обеспечивает однородность пленки. [10]
Строгое фиксирование температуры подложки и исходного вещества позволило получит ], хорошо воспроизводимые по толщине и однородности пленки. Наилучшим способом варьирования толщины является изменение скорости подачи паров пропионата цинка в зону реакции. Предварительные данные показывают, что на никелевой подложке также получаются про-лрачные прочные пленки окиси цинка. [11]
С с последующим отжигом в атмосфере аргона при давлении, превышающем ОД Па ( для повышения однородности пленки), и кратковременным отжигом ( 3 - 5 мин) в вакууме для отгонки непрореагировавшего теллура. [13]
Немаловажное значение имеет также хорошая смачиваемость поверхности носителя или стенок капилляра жидкой фазой, так как от однородности пленки в значительной степени зависит эффективность колонки. И, наконец, последнее требование - желательно, чтобы жидкая фаза легко растворялась в наиболее распространенных растворителях. [14]
Страницы: 1 2 3 4