Однородность - пленка
Cтраница 4
Этот технологический процесс основан на свойствах кристаллов с гранатовой структурой расти друг на друге при условии достаточн о близких параметров решеток граната-подложки и наращиваемого граната-пленки, когда наращиваемый слой повторяет кристаллическую структуру, предписанную структурой подложки. В платиновый тигель 1 загружается смесь феррит-граната и свинцовобарие-вого растворителя и нагревается электрической спиралью 2, намотанной на жаропрочную трубу 3, до температуры 1100 - 1300 С. В расплав опускается закрепленная на стержне 4 подложка 5, на которой за несколько минут выращивается магнитная пленка. Стержень 4 вращается с частотой 50 - 250 об / мин, что обеспечивает однородность пленки и сбрасывание излишков расплава. Таким способом получают пленки площадью до 4 см2 и толщиной 1 - 10 мкм. [46]
 |
Схема установки для выращивания феррит-гранатовых пленок методом жидкофазной эпитаксии. [47] |
Этот технологический процесс основан на свойствах кристаллов с гранатовой структурой расти друг на друге при условии достаточно близких параметров решеток граната-подложки и наращиваемого граната-пленки, когда наращиваемый слой повторяет кристаллическую структуру, предписанную структурой подложки. В платиновый тигель / загружается смесь феррит-граната и свинцовобарие-вого растворителя и нагревается электрической спиралью 2, намотанной на жаропрочную трубу 3, до температуры 1100 - 1300 С. В расплав опускается закрепленная на стержне 4 подложка 5, на которой за несколько минут выращивается магнитная пленка. Стержень 4 вращается с частотой 50 - 250 об / мин, что обеспечивает однородность пленки и сбрасывание излишков расплава. Таким способом получают пленки площадью до 4 сма и толщиной 1 - 10 мкм. [48]
Уравнение ( 59) для распределения по толщине от идеального кольцевого испарителя может быть непосредственно применено к вращающейся подложке, если под параметром s понимать расстояние по горизонтали от испарителя до оси вращения, а под / - расстояние по радиусу от точки на плоскости подложки до центра вращения. Первым преимуществом данного метода является то, что результирующее планетарное движение подложек уменьшает даже ту неоднородность по толщине, которая обусловлена направленностью испарения из тиглей. Другим преимуществом является лучшая однородность свойств этих пленок, которые зависят от угла падения. Толщина пленок, полученных в этих условиях, изменяется лишь на 0 16 % на подложках диаметром 16 см. При создании системы таких вращающихся держателей подложек основной задачей является разработка их конструкций. При современных требованиях к однородности пленок в электронных схемах такие системы применяются редко. [49]
Однако фазы состава со структурой типа А3В в массивном состоянии не всегда удается получить. Однако, как показал Тестарди ( 1974 г.), ее сравнительно легко получить в пленочном состоянии. Метастабильная фаза Nb3Ge была получена в виде пленок методом катодного распыления. Эти пленки имеют максимально высокую температуру сверхпроводящего перехода ( Тс 23 3 К), достигнутую в лабораториях к настоящему времени. Пленки Nb3Ge были получены и другими методами, но ни в одном случае не наблюдалось столь высокой Тс. По мнению Тестарди и др., обеспечить однородность пленки и стехиометричность состава другими методами трудно. Кроме того, они считают, что сверхпроводимость этих пленок стимулирована ионами аргона. [50]
Характер влияния функциональных групп на свойства пленок и клеевых соединений зависит от химического состава и жесткости основной цепи. Например, для дисперсий сополимера бутилакрилата и бутил-метакрилата наибольшие значения остаточных напряжений и адгезионной прочности наблюдаются при наличии в сополимере амидных групп, а высокая когезионная прочность - при наличии карбоксильных. Это также обусловлено структурой пленок. Наиболее неоднородная глобулярная структура и малая прочность отмечаются для сополимеров, содержащих амидные и нитрильные группы. Имеет значение также и концентрация полярных групп. Это связано с изменением глобулярных образований и уменьшением однородности пленки. Пленки из дисперсий с наиболее однородной структурой, содержащие оптимальное число групп СООН, могут формироваться при температуре ниже температуры стеклования полимера. [52]
 |
Зависимость относительного изменения сопротивления пленок Сг-SiO от числа импульсов при годгонке для различных уровней мощности. [53] |
Здесь также была обнаружена тенденция к чрезмерному изменению сопротивления, объясняемая большим временем охлаждения обрабатываемых резисторов до комнатной температуры. В этом случае резисторы были защищены SiO и при подгонке их сопротивление уменьшалось; при этом улучшалась однородность пленки. [54]
 |
Схема установок для жидкофазной эпитаксии. [55] |
Установка для жидкофазной эпи-таксии ( рис. 37) состоит из электрической печи, тигля с раствором-расплавом, устройства для вращения тигля, устройства для погружения подложек и устройства для вращения подложек в погруженном и вынутом положении. Подложка может занимать в растворе-расплаве или вертикальное ( рис. 37, а) или горизонтальное ( рис. 37, б) положение. На рис. 37, в показано наиболее благоприятное распределение изменения температуры ДГ в рабочем пространстве печи. Технологический процесс предусматривает четырехчасовую гомогенизацию при температуре 1300 С и вращающемся тигле. Затем следует медленное, в течение часа, охлаждение раствора-расплава на 20 - 30 С до температуры переохлаждения. Затем раствор-расплав выдерживается при этой температуре еще один час до начала погружения первого комплекта подложек ( не больше 20 шт. Перед погружением комплект подложек опускают к поверхности раствора-расплава для выравнивания температуры. Погружение подложек совмещают с их вращением в расплаве для увеличения степени однородности пленки. Процесс роста пленки занимает менее 10 мин. Подложки с наращенной пленкой вынимают из раствора-расплава и очищают от остатков центробежным способом, вращая с частотой до 1000 об / мин. [56]
Страницы: 1 2 3 4