Тонкий окисел

Cтраница 1

Тонкий окисел выращивается на поверхности кремния в сухом кислороде при температуре 1150 - 1200 С. [1]

Постоянное ЗУ. а - организация запоминающей матрицы. б - структура ЗЭ. [2]

Участки тонкого окисла, определяющие адреса ЗЭ, в которых записана единичная информация, создаются с помощью специального фотошаблона. [3]

Применение под затвором тонкого окисла повышает крутизну характеристики транзисторов. Толстый окисел над остальной частью структуры уменьшает паразитные емкости относительно монтажных соединений. Уменьшение геометрических размеров истока и стока снижает паразитные емкости относительно подложки. [4]

Конструкции диодов Шоттки ( Me - металл с охранным кольцом ( и и с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом ( б. [5]

При этом металлический слой должен покрывать тонкий окисел по всей периферии контакта. [6]

ПЗС структура с трехшинным управлением.| ПЗС структура сдвигового регистра с двухшинным управлением. [7]

В качестве диэлектрика обычно используется окисел полупроводникового материала, поэтому тонкий слой под затвором получил название тонкого окисла. Для уменьшения порогового напряжения вместо металлического затвора применен поликристаллический полупроводниковый затвор. Комплекс таких конструктивно-технологических решений расширяет диапазон рабочих частот полупроводниковых ИС на МДП транзисторах до 20 МГц и более. [8]

В отсутствие же этих элементов образуется Fe3O4 коричневато-серого цвета, светлее, чем FeO; Fe2O3 - самый тонкий окисел, светло-розового цвета. [9]

Достоинствами метода ионного внедрения являются низкая температура технологических процессов, возможность точного контроля глубины залегания р-п переходов, резкая граница р-п перехода, возможность использования обратных последовательностей технологических процессов ( например, сначала нанесение защитного слоя тонкого окисла в МОП-транзисторах, а потом внедрение сквозь него ионов для формирования истока и стока. [10]

В данной структуре перекрытие затвором областей истока и стока имеет место на участках с достаточно толстым окислом, что не приводит к образованию заметных паразитных емкостей. Перекрытие в районе тонкого окисла мало и вызвано боковой диффузией примеси. [11]

Как видно из рис. 3.7, затвор перекрывает часть областей истока и стока по координате у. Это обусловливает существование емкостей затвор - тонкий окисел - исток или сток ( Сзи и Сзс), а также затвор - толстый окисел - исток или сток, причем последние в несколько раз меньше первых и поэтому обычно не учитываются. [12]

Проблема уменьшения встроенных емкостей, образующихся вследствие частичного перекрытия затвором областей истока и стока, решена путем использования ионного внедрения и формирования самосовмещающегося затвора. Последовательность операций изготовления в этом случае является следующей: / - формирование тонкого окисла под затвором; 2 - наращивание поликристаллического кремния - затвора; 3 - формирование окон для участков истока и стока; 4 - ионное внедрение примеси р-ти-па; 5 - выращивание толстого окисла; 6 - фотолитография окон под контактные площадки; 7 - осаждение металлической пленки; 8 - фотолитография контактов и соединительных проводников. Благодаря использованию ионного внедрения вместо диффузии примеси не попадают иод защитный слой затвора, в результате чего устраняется перекрытие затвором областей истока и стока. [13]

Они были проанализированы в работах Арсламбекова [8, 9], где отмечается сильное влияние дефектности тонкого окисла на процессы диффузии, что может имитировать линейный ход, трудно измеряемый в обычных методах исследования процесса окисления. Процессы дефектообразования, особенно важные на начальном этапе окисления, вызывают определенное нарушение термодинамически равновесного характера закономерностей окисления и могут оказать доминирующее влияние на процессы образования локальных электронных состояний окисла и границы раздела ( подробно этот вопрос анализируется при обосновании трехслойной модели структуры Si - SiO2 в гл. [14]

Ширина соединительного проводника при этом будет уменьшена до 1 мкм, области ионного внедрения - до 0 5 мкм, длина канала - до 0 2 - 0 5 мкм, а толщина тонкого окисла - до 0 02 мкм. [15]

Страницы: 1 2