Тонкий окисел

Cтраница 2

Во избежание появления дефектов типа короткого замыкания шин на этом этапе необходимо тщательно контролировать все операции фотолитографии. Точность и разрешающая способность фотолитографии в значительной степени определяют плотность упаковки элементов МДП-ИМС. Допуск на перекрытие в шаблоне металлизации рассчитывают так, чтобы все области тонкого окисла под затворами были полностью покрыты металлом. Это исключает возможность появления паразитных МДП-транзисторов. [16]

Конструкции полосковых линий. [17]

Толщина эпитаксиального слоя составляет 1 мкм. После осаждения окисла SiO2 толщиной 1 мкм из эпитаксиального слоя формируют мезаструк-туру ( пьедестал) путем удаления лишней части эпитаксиальной пленки, не используемой для изготовления транзистора. Формирование канала и затвора включает в себя следующие операции: вскрытие окна в виде канавки с расстоянием между стенками 2 - 4 мкм, осаждение тонкого окисла ( 0 05 - 0 12 мкм) и поликристаллического кремния затвора. Для получения тонких / - областей истока и стока производится вытравливание окон в слое SiC2 и осаждается новый окисел, легированный примесью р-типа. Этот слой окисла служит дозированным источником диффузанта при выполнении операции диффузии и формировании / - областей. [18]

Затем вновь производят операцию окисления, в процессе которой наращивают тонкий слой окисла под затвором. Эту операцию осуществляют в атмосфере сухого кислорода, а толщину наращиваемого слоя окисла строго контролируют. Одновременно на этом этапе контролируют плотность состояний QOK на границе раздела кремний - окисел. Поскольку эта плотность оказывает решающее влияние на величину и характер изменения порогового напряжения, очень важно обеспечить высокую воспроизводимость операции получения тонкого окисла. [19]

Страницы: 1 2