Локальное окисление

Cтраница 1

Локальное окисление.| Структура с окисленным поликремнием. 1 - газофазный эпитаксиальный SiCb. 2 - поликремний. 3. [1]

Локальное окисление, В технологии производства ИС применяется процесс частичного окисления подложки кремния, на участках поверхности которой нанесен слой нитрида кремния или поликристаллического кремния. [2]

Локальным окислением в эпитаксиальной пленке создают проходящие насквозь боковые слои диоксида кремния / ( рис. 4.15, б) и получают изолированные островки кремния, предназначенные для отдельных транзисторов. Слева от центрального слоя / показан транзистор с каналом - типа, справа - с каналом р-типа. [3]

Результаты численного расчета. а - распределение примеси после ионной имплантации. б - распределение примеси после локального окисления. в - общий вид распределения. [4]

Для процесса локального окисления под углом 45 к границе раздела также проводятся расчеты потока примеси в направлении у. На этом рисунке белыми кружками показаны новые узлы сетки. [5]

Технологическая последовательность создания МДП-транзистора. [6]

Изопланарный способ заключается в локальном окислении кремния, выращенного эпитаксиальным методом, на всю глубину слоя. Для маскирования поверхности кремния в этом случае используется нитрид кремния. [7]

Практической проблемой, которая встречается при локальном окислении с использованием маскирующего слоя Si3N4) является отрицательное влияние краевых искажений в форме птичьего клюва, образуемых при окислении. [8]

В соответствии с результатами расчетов аварийного охлаждения активной зоны максимальное локальное окисление на самых горячих ТВС составляет 0 3 % оболочки из цирколоя. В остальных участках оболочки повышение температуры и тем самым окисление цирколоя значительно ниже. [9]

Распределения примеси В сразу после ионной имплантации, а также после локального окисления по результатам вычислений показаны на рис. 4.82, а, бив. Отчетливо видно расширение легированной области в горизонтальном направлении. Указанная выше программа подтвердила свою эффективность на практике при изготовлении различных приборов, которые легко подвергаются контролю, путем моделирования характеристик приборов с последующим сравнением результатов вычислений с экспериментальными данными. [10]

Биполярная БИС ( изоляция pn - переходом с двусторонней диффузией. техника совмещения с применением SieN.. 1-поликремний. 2 - 2-ой слой разводки к электродам базы, эмиттера, коллектора. 3 - полиимидныи изолирующий слой. 4 - 1 - й слой разводки к электродам. 5 - коллектор. 6 - база. 7 - эмиттер.| Структура транзистора SST ( Si bipolar super self-alighed process technology. 1 - п - поликремний. 2 - р - полнкремний. [11]

На рис. 5.12 показана конструкция транзистора для сверхскоростных ЭСЛ-схем, использующая метод локального окисления в базовой области. Межсоединения выполнены из поликристаллического Si n - и р - типа. [12]

Коэффициенты диффузии. [13]

Пленки нитрида кремния широко используются для защиты поверхностей микросхем ввиду своей прочности, влагонепроницаемое и устойчивости к действию окислителей. Это определяет их применение также в качестве масок при термическом локальном окислении кремния. Как уже отмечалось, нитрид кремния получают термическим осаждением из парогазовых смесей при пониженных давлениях и плазмохимическим осаждением. [14]

КМОП-структура с биполярными р-карманами. 1-р-карман. 2 - п-эпитаксиальный слой. 3 - п. скрытый слой.| Основная структура МОП-транзистора с n - каналом ( р-каналом. 1 - затвор из поликремния. [15]

Страницы: 1 2