Локальное окисление

Cтраница 2

Кроме того, в последние годы активно разрабатываются К. Основные конструкции п - и р-канальных МОП ИС с самосовмещением, с кремниевым затвором, изготовленные методом локального окисления ( рис. 5.6), показаны на рис. 5.17. Для управления величиной порогового напряжения Ут использован метод ионной имплантации. Как видно из рис. 5.18, известны три основных метода взаимной изоляции элементов, применяемые в п - и р-канальных МОП полевых транзисторов. В случае использования МОП-схем с элементами, сформированными в n - карманах и р-карманах, например в периферийных цепях запоминающих устройств соответствующие ячейки памяти разделяются на п - и р-канальные соответственно. На основе общих соображений невозможно сказать, какие из них лучше. [16]

Изоляция локальным окислением - изопланар 1. 1 - п - скрытый слой. 2 - n - эпитаксиальный слой.| Изоляция локальным окислением. [17]

Емкости переходов и паразитные емкости в этом случае довольно значительны; поэтому при повышении плотности интеграции элементов, быстродействия схемы и уменьшении потребления энергии возникают ограничения. Для преодоления этих ограничений разработана технология, использующая диэлектрическую изоляцию. Примером реализации этой технологии является метод локального окисления, показанный на рис. 5.5 и 5.6 ( см. разд. В этом методе используется тот факт, что S13N4 почти не окисляется. Как видно из рис. 5.6, на участке формирования разделительной области вскрывается слой Si3iN4, далее проводится окисление и на указанном участке наращивается толстый окисный слой. [18]

Микросхема представляет собой восьмиразрядный микромощный АЦП последовательных приближений, сопрягаемый с микропроцессорами. Предназначена для ввода аналоговой информации в микропроцессоры, микро - ЭВМ и другие средства вычислительной техники и обеспечивает режимы сопряжения: статической памяти с произвольной выборкой, памяти со считыванием и внешней памяти. Изготовлена по технологии КМОП-структур с самосовмещенными поликремниевыми затворами и изоляцией элементов локальным окислением и содержит 540 интегральных элементов. [19]

Соблюдение условия Д 1 не является достаточным основанием для суждения о защитных свойствах оксидных пленок. Важную роль играют внутренние напряжения в пленках. Поскольку оксиды, как правило, малопластичны и обладают невысокой прочностью на растяжение и изгиб, они склонны к образованию дефектов, вызывающих увеличение скорости локального окисления металла. Причины появления внутренних напряжений в оксидных пленках при Д 1 - деформации, обусловленные размерным несоответствием решеток металла и первичной оксидной пленки. Кроме того, при росте оксидной пленки на неплоской поверхности в ней возникает дву-осное напряженное состояние: на выпуклой поверхности сжимающие напряжения направлены по касательной к поверхности, а растягивающие - по нормали к ней. При превышении последними значения прочности сцепления оксидной пленки с металлом происходит ее отрыв. [20]

Ими установлено, что хромистые стали по-разному окисляются при высоких температурах воздушной среды в зависимости от содержания в них углерода. Влияние углерода на жаростойкость этих сталей в основном отрицательно из-за его выгорания в поверхностном слое металла при сварке. Стали с содержанием углерода 0 0061 - 0 213 % при испытаниях при температуре 1100 С за время 50 ч подвергаются локальному окислению. В стали, содержащей 0 21 % углерода, после выдержки при 1100 С около 15 - 20 % аустенита. [21]

Визуальный осмотр поверхности коммутирующих контактов в конце циклов включено - выключено, приведенных в табл. 2.2, выявил наличие окислов на всех контактах из медных сплавов. Причина этого - дуговой электрический разряд, возникающий при коммутациях, влияние окружающей среды. Окисление приводит к росту электрического сопротивления контактов и, следовательно, к превышению их температуры. Вид окисленных рабочих поверхностей сплавов различных групп существенно различается. Контакты первой группы, выдержавшие коммутацию в течение 25 тыс. циклов включено - выключено, имели довольно рыхлую окисленную поверхность с большим числом точек локального окисления, тогда как на рабочей поверхности контактов из сплавов пятой группы образовался плотный и прочный оксид капельной формы, который приводил к отказу выключателей в самом начале испытаний на работоспособность. [22]

По методу LOCOS производится окисле ние лицевой поверхности кремниевой подложки, часть поверх ости которой закрыта слоем SieN препятствующим окисле нию. Этот метод широко используется в технологии производства ИС, так как он позволяет не формировать на лицевой поверхности подложки высокую ступеньку. Островки из толстого слоя окисла формируются для взаимной изоляции близко расположенных друг к другу транзисторов. На рисунке показано, что слой окисла на 44 % своей толщины опускается глубже раздела Si3N4 - Si. При этом из-за внутренних напряжений в кремний легко проникают дефекты. Искажение формы на краю такого окисла напоминает птичий клюв. Тенденция уменьшения размеров интегральных элементов заставляет принимать во внимание величину этого птичьего клюва. Имеется множество опробованных на практике путей усовершенствования метода локального окисления, они будут рассмотрены позже ( разд. [23]

Страницы: 1 2