Окись - иттрие
Cтраница 4
Специфическое влияние микродефектов проявляется и на поверхности окиси иттрия. [46]
Эталоны для спектрального анализа готовят на основе спектрально-чистой окиси иттрия. [47]
Из литературных данных [2] известно, что у окиси иттрия при высоких температурах значительно повышается электропроводность, поэтому исследуемый образец был строго отцентрирован относительно нагревателя и отделен от него зазором около 1 5 мм. Для надежной центровки образца относительно нагревателя использовалось специальное приспособление. После монтажа образца воздух из установки откачивался до давления iO - zMM рт. ст. Далее рабочий объем установки заполнялся аргоном марки чистый до давления 1 2 атм. [48]
Окислы молибдена так же, как и образцы окиси иттрия, вели преимущественно дегидратацию муравьиной кислоты. [49]
В связи с этим было проведено измерение теплопроводности окиси иттрия в широком интервале температур 350 - - 1800 С. [50]
В результате исследования найдено, что загрязнение как окисью иттрия, так и окисью лантана не превышает 0 0001 г. При отделении тория от неодима и празеодима ошибки в определении тория не превышают величин ошибок при взвешивании. [51]
 |
Распределение пор по размерам V в зависимости от числа пропиток п. [52] |
Ввиду того что в процессе пропитки в поры внедряется окись иттрия, плотность которой существенно отличается от средней плотности исходной матрицы, для корректного расчета пористости после пропиток необходимо вносить поправку на изменение средней плотности материала. [53]
Страницы: 1 2 3 4