Окись - кремний
Cтраница 2
Окись кремния, подобно А12О3, обладает крайне низкой каталитической активностью в отношении окисления СО. Согласно [3], окись кремния в интервале температур 50 - 230 С не активна в реакции окисления СО ни в темноте, ни при освещении длинноволновым светом. Однако SiO2, как и А12О3, широко применяется в качестве носителя. [17]
Окись кремния растворялась быстрее, чем окись алюминия, и это происходило до тех пор, пока не полу-чался указанный выше лимитирующий состав. [18]
Окись кремния приготовлена из этилата кремния чистая вода; окись алюминия - из этилата алюминия вода; окизь титана - из сульфата титана в водном растворе серной кислоты вода. Время прокаливания - обычно два часа. [19]
Окись кремния из полученного раствора осаждают соляной кислотой. Для этого приливают 10 - 15 мл концентрированной соляной кислоты и прикрывают чашку часовым стеклом во избежание разбрызгивания раствора. Затем чашку ставят на водяную баню и содержимое выпаривают досуха. Сухой остаток вновь смачивают 15 мл концентрированной соляной кислоты и выпаривают. Процесс добавления соляной кислоты и выпаривания повторяют еще раз. После охлаждения добавляют 15 мл концентрированной соляной кислоты и ставят на водяную баню для коагуляции кремневой кислоты. [20]
Окись кремния является наиболее распространенным модификатором катализаторов гидроочистки. [21]
Окись кремния при синтезе катализаторов гидрокрекинга вводят в. [22]
Окись кремния, образовавшуюся при минерализации кремний - органического матер нал а, переводят в растворимую форму, выщелачивают водой и раствор точно нейтрализуют. После того как раствор насыщен ионами натрия, прибавляют раствор фтористого аммония и избыток кислоты известной нормальности. Не вошедшую в реакцию кислоту титруют щелочью. Содержание кремния рассчитывают по количеству кислоты, вошедшей в реакцию. [23]
 |
Схема технологического процесса изготовления. [24] |
Окись кремния SiO2 - стойкое соединение, способное выдерживать нагрев до высокой температуры и некоторые химические обработки, оставаясь непроницаемым для диффундирующего вещества. Технологические операции при изготовлении пленарного диода и получающаяся структура приведены на рис. 1.5. Основой такой технологии является метод фотолитографии. Экспонированные места фоторезиста полимеризуются и становятся нерастворимыми. [25]
Окись кремния понижает температуру реакции, а также ускоряет реакцию. [26]
Окись кремния и фтористый кальций выпадают в виде коллоидного осадка, который ухудшает физические свойства преципитата. Он плохо отфильтровывается и плохо промывается. Поэтому до процесса нейтрализации фосфорной кислоты известняком необходимо выделить из раствора соединения фтора. [27]
Окись кремния ( SiO) никогда не была обнаружена в природе. [28]
Окись кремния является сильным восстановителем так же, как и низшие окислы других элементов IV группы периодической системы. Она может легко восстанавливать окислы железа, хрома, марганца и других металлов. [29]
Окись кремния понижает температуру реакции, а также ускоряет реакцию. [30]
Страницы: 1 2 3 4