Окись - тантал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда-то я думал, что я нерешительный, но теперь я в этом не уверен. Законы Мерфи (еще...)

Окись - тантал

Cтраница 1


Окись тантала обладает ценнейшим для электротехники свойством: если через раствор, в который погружен тантал, покрытый тончайшей ( всего несколько микрон. На этом принципе основаны танталовые выпрямители, которые применяют, например, в сигнальной службе железных дорог, телефонных коммутаторах, противопожарных сигнальных системах.  [1]

Окись тантала иногда применяют и в стеклоделии - для изготовления стекол с высоким коэффициентом преломления. Смесь пятиокиси тантала Та205 с небольшим количеством трехокиси железа предложено использовать для ускорения свертывания крови. Гидриды тантала успешно служат для припаивания контактов на кремниевых полупроводниках.  [2]

Окись тантала - окись магния - кремневая кислота; 400 - 425 С, одноступенчатый процесс.  [3]

Окись тантала обладает ценнейшим для электротехники свойством: если через раствор, в который погружен тантал, покрытый тончайшей ( всего несколько микронов. На этом принципе основаны танталовые выпрямители, которые применяют, например, в сигнальной службе железных дорог, телефонных коммутаторах, противопожарных сигнальных системах.  [4]

Окись тантала ( V) реагирует медленнее, но точно таким же образом. После выщелачивания карбонатного плава водой остается нерастворимое вещество, которое представляет собой не ортониобат, а метаниобат Na TbO3 со структурой перовскита ( стр. Для тантала известны аналогичные смешанные окислы, построенные по типу перовскита, а также смешанные окислы со структурой вольфрамовой бронзы [2] ( стр.  [5]

Окись тантала имеет высокую диэлектрическую постоянную ( табл. 4), и ее пленки, полученные анодированием, аморфны, беспористы и химически стойки. Берри и Слоан ( 73J первые обнаружили, что анодные пленки, выращенные на пленках тантала, полученных катодным распылением, имеют высокую электрическую прочность, более близко соответствующую их росту в условиях сильных полей, чем пленки, выращенные на массивном тантале. Это объясняется тем, что пленки, полученные испарением в вакууме и катодным распылением, чище, имеют более гладкую поверхность, а примеси по пленке распределены более равномерно, благодаря осаждению пленок тантала на гладкие поверхности стеклянных или глазурованных керамических подложек.  [6]

Окись тантала, алюминия и титана могут быть получены как вакуумным испарением, так и электрохимическим окислением части напыленных пленок.  [7]

Гидрагпированная окись тантала, Та203 - ЗНоО или Та ( ОН) 3, выделяется при обработке водного раствора трпхлорида тантала небольшим количеством NaOH или КОН.  [8]

9 Конденсатор типа ЭМ.| Конденсатор типа ЭТО. [9]

Пленка окиси тантала имеет ess 25, что превышает, примерно, в 2 5 раза значение е для окиси алюминия.  [10]

Пленка окиси тантала имеет е 25, что превышает диэлектрическую проницаемость окиси алюминия в 2 5 раза. Значительное увеличение удельной емкости на единицу объема получается при использовании объемно-пористого анода, который изготавливают из порошка тантала методом спекания. За счет пористой структуры поверхность электрода увеличивается, что позволяет получить при малых габаритах конденсаторы с большим значением емкости ( 10 - 1000 мкФ) при рабочем напряжении порядка 90 - 6 В. Такое малое рабочее напряжение не является препятствием к широкому применению конденсаторов, так как в современной микроминиатюрной радиоэлектронной аппаратуре часто используются источники питания с напряжением 5 В.  [11]

12 Зависимость напряжения пробоя от толщины нижней обкладки конденсатора при толщине слоя диэлектрика ОеО в мкм. [12]

Пленки окиси тантала в отличие от рассмотренных выше получают анодным окислением. Эти пленки характеризуются диэлектрической проницаемостью, изменяющейся в диапазоне 16 - 25, и малой дефектностью. Важным преимуществом анодно-окисляемых пленок является возможность строгого контроля толщины пленки в процессе ее получения, поскольку последняя является однозначной функцией приложенного напряжения.  [13]

Получение окиси тантала для создания диэлектрика пленочного конденсатора происходит с помощью анодирования при постоянной плотности тока до достижения требуемого напряжения.  [14]

Пленка окиси тантала не может считаться совершенно идеальной в отношении отсутствия в ней сквозных пор, хотя качество ее в этом отношении значительно лучше, чем пленки окиси алюминия. Наличие подобных пор может быть обусловлено как присутствием инородных загрязнений на поверхности тантала, так и несовершенством решетки окиси тантала в отдельных участках.  [15]



Страницы:      1    2    3    4