Оксид - переходный металл
Cтраница 1
Оксиды переходных металлов, таких как хром, кобальт, молибден, железо и никель, легко наносятся на носители всеми ранее описанными методами. [1]
Оксиды переходных металлов - - CuO Cu2O, V2O5, в то время как другие оксиды неактивны или способствуют главным образом полному окислению. [2]
Оксиды переходных металлов - CuO Cu2O, V2O5, в то время как другие оксиды неактивны или способствуют главным образом полному окислению. [3]
Оксиды переходных металлов - МпО, Ре, СоО, № О и др., а также N3 катализируют распад X. [4]
Основность оксидов переходных металлов в степени кислотными, так и окисления 2 увеличивается при движении слева основными и ах ф ггср направо по ряду. Для любого из металлов основность, ыми оксидов уменьшается с увеличением степени окисления металла. На рис. 24.2 прямая линия ab приблизительно разделяет основные и кислотные оксиды. [5]
 |
Температуры Пееля ( штпфгрромагнтног превращение и Кюри ( ферромагнитное превращение лантаноидов. [6] |
Для оксидов переходных металлов четвертого периода периодической системы характерны весьма заметные систематические изменения свойств с изменением порядкового номера и числа d - электронов. [7]
 |
Состояния адсорбированного кислорода на металлах. [8] |
На оксидах переходных металлов, как и на самих металлах, активный кислород, обладая высокой окисляющей способностью, как правило, вызывает преимущественно глубокое окисление органических соединений. Если же активный кислород диффундирует в решетку оксидного катализатора, то такой кислород участвует в образовании продуктов селективного ( парциального) окисления. [9]
Некоторые соли и оксиды переходных металлов высших степенях окисления являются эффективными реагент ами сын-гидроксилирования двойной связи. [10]
Полупроводниковые материалы на базе оксидов переходных металлов должны иметь вполне определенную концентрацию вакансий, что достигается одним из способов управления дефекто-образованием. [11]
Полупроводниковые материалы на базе оксидов переходных металлов должны иметь вполне определенную концентрацию вакансий, что достигается одним из способов управления дефекто-образованием. [12]
 |
Вольт-амперные характеристики термистора с сопротивлением R ( 293 К 830 кОм. [13] |
Термисторы изготовляют из смеси поликристаллических оксидов переходных металлов, например, MnO, CoO, NiO, CuO; легированных Ge и Si; SiC; полупроводниковых материалов типа А В; стеклообразных полупроводников и других материалов. [14]
Число тройных стеклообразующих систем с оксидами переходных металлов, в которых последние могут находиться в разновалентном состоянии, значительно больше ста. В последней группе систем области стеклообразования закономерно увеличиваются с ростом атомного номера элемента II группы от бериллия - к барию. В то же время область стеклообразования в последней группе систем с ZnO больше, чем с CdO, т.е. СС этих систем с оксидами элементов побочной подгруппы увеличивается в обратном направлении. Гречаник, Петровых, Карпе-ченко, изучившие эту большую группу систем, установили, что наибольшие области стеклообразования характерны для Я-элементов I, II и V групп. Если в качестве модификатора вводить элементы основных подгрупп I и II групп, то области стеклообразования расширяются с увеличением порядкового номера элемента. [15]
Страницы: 1 2 3 4